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检索条件"作者=廖克俊"
294857 条 记 录,以下是1-10 订阅
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对碳纳米管阵列的场发射电场增强因子以及最佳阵列密度的研究
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物理学报 2002年 第10期51卷 2335-2339页
作者: 朱亚波 王万录 廖克俊 重庆大学数理学院应用物理系
研究了外电场、碳纳米管自身线度、尤其管的阵列密度对碳纳米管的场发射性能的影响 ,从理论上深入探索碳纳米管阵列的电场增强因子并提出改善其场发射电子性能的有效途径 .研究结果表明 ,碳纳米管阵列的电场增强因子的数量级一般为 10 2... 详细信息
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负偏压热灯丝CVD金刚石膜核化和早期生长的研究
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物理学报 1998年 第3期47卷 514-519页
作者: 廖克俊 王万录 冯斌 重庆大学应用物理系
利用扫描电子显微镜、Raman谱和X射线光电子能谱,研究了Si衬底上热灯丝CVD金刚石膜的核化和早期生长.在-300V和100mA条件下预处理15min,镜面抛光的Si(100)表面上金刚石核密度超过了109cm-2... 详细信息
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Ni_(50.5)Mn_(26.5)Ga_(23)单晶磁感生应变的温度依赖性
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材料研究学报 2004年 第2期18卷 123-129页
作者: 崔玉亭 王万录 廖克俊 重庆大学
通过对磁感生应变和磁增强相变应变的测量,研究了Ni_(50.5)Mn_(26.5)Ga_(23)单晶磁感生应变的温度依赖性和磁控形状记忆效应.结果表明,随着温度的降低;Ni_(50.5)Mn_(26.5)Ga_(23)单晶的饱和磁感生应变量先是迅速减小,然后缓慢减小;磁场... 详细信息
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一种新型保温薄膜材料——CdIn_2O_4的研究
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稀有金属材料与工程 2002年 第1期31卷 73-75页
作者: 王蜀霞 王万录 廖克俊 重庆大学 重庆400044
研究了射频反应溅射三元化合物 Cd In2 O4 薄膜的电学和光学性质 ,讨论了反应气体中氧气浓度和热处理对Cd In2 O4 薄膜红外反射率的影响 ,实验结果表明 ,Cd In2 O4 薄膜在红外区域具有很高的反射率 ,是一种极好的红外反射膜。用它作为... 详细信息
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利用声波和地震波识别军事车辆类型
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系统工程理论与实践 2006年 第4期26卷 108-113页
作者: 肖汉光 蔡从中 廖克俊 重庆大学应用物理系
声波和地震波是军事车辆类型识别的重要信息源,针对军事车辆运动时产生的声波和地震波,采用短时傅里叶变换提取其波形数据的频谱特征向量,提出基于能量频谱密度进行二次特征选择,构造声波和地震波频谱特征向量子空间,从而降低了特征向... 详细信息
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单层有机半导体微腔效应的研究
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半导体光电 2000年 第3期21卷 171-173页
作者: 廖克俊 王万录 重庆大学应用物理系 重庆400044
制作了DBR/ITO/PPV/Al微腔结构 ,研究了这种结构PPV发光器件的光致发光和电致发光特性。实验结果表明 ,由简单地调节夹于两金属电极镜面之间的PPV层厚度可实现微腔效应。
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直流等离子体CVD法合成的金刚石膜的断裂强度研究
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物理学报 1994年 第9期43卷 1559-1563页
作者: 廖克俊 王万录 兰州大学物理系
研究了直流等离子体激光化学汽相沉积(CVD)法合成金刚石膜的断裂强度。利用压力爆破技术测量了圆形金刚石膜的断裂强度。实验结果表明,断裂强度与金刚石颗粒大小、膜厚度、圆半径、甲烷浓度及衬底温度有密切的依赖关系,并对这些... 详细信息
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高速率生长c-BN薄膜
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科学通报 1995年 第13期40卷 1184-1186页
作者: 廖克俊 王万录 兰州大学物理系 兰州730001
立方氮化硼(c-BN)类似于金刚石具有许多优异的化学和物理特性,例如它有高硬度(仅次于金刚石)、高热导率、良好的电绝缘性和宽带隙.立方氮化硼的分子结构和金刚石基本上相同,但它有更好的耐氧化性、耐热性和化学稳定性.所以c-BN可广泛用... 详细信息
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单晶Ni_(52)Mn_(16.4)Fe_8Ga_(23.6)的磁控形状记忆效应和磁感生应变
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稀有金属材料与工程 2005年 第2期34卷 266-270页
作者: 崔玉亭 王万录 廖克俊 朱亚波 重庆大学
用磁悬浮冷坩埚提拉设备沿[001]方向生长了组分为 Ni52Mn16.4Fe8Ga23.6 的单晶,通过磁增强相变应变和磁感生应变的测量研究了该材料磁控形状记忆效应和磁感生应变的温度稳定性。结果发现该材料不但具有大的自发相变应变、磁增强相变应... 详细信息
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Ni_(50.5)Mn_(24.5)Ga_(25)单晶的预马氏体相变特性
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物理学报 2005年 第1期54卷 263-268页
作者: 崔玉亭 陈京兰 刘国栋 吴光恒 廖克俊 王万录 商丘师范学院物理系 河南476000 中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室 北京100080 重庆大学理学院应用物理系 重庆400044
通过交流磁化率、电阻、有无磁场下的预相变应变、磁致伸缩和磁化强度测量 ,系统研究了近正配分比Ni50 5Mn2 4 5Ga2 5单晶的预马氏体相变特性 .在自由样品中观察到预马氏体相变应变 .在预相变点 ,沿 [0 10 ]方向施加大小约为 80kA m... 详细信息
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