Si亚微米MESFET的Monte Carlo法模拟
The Monte Carlo Particle Simulation for Submicron Si MESFET作者机构：天津大学电子工程系
出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)
年 卷 期：1994年第22卷第2期
页 面：1-7页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金
摘 要：本文是继用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ法模拟ＧａＡｓ亚微米器件后，进一步用该法模拟Ｓｉ亚微米ＭＥＳＦＥＴ。文中除了处理Ｓｉ和ＧａＡｓ散射机制不同外，在模拟方法上有重要进步：用ＦＦＴ（ＦａｓｔＦｏｕｒｉｅｒＴｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎ）代替迭代法，加速解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程过程；用快速自散射代替常规自散射，压缩计算无用自散射时间。这些进步相当程度地克服ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ微粒模拟法费机时的固有缺点。模拟得到的形象且合理的结果，给出亚微米栅长时ＳｉＭＥＳＦＥＴ的性能。
维普期刊数据库
同方期刊数据库