光学系统像差对极紫外光刻成像特征尺寸的影响

作     者：明瑞锋 韦亚一 董立松 Ming Ruifeng;Wei Yayi;Dong Lisong

作者机构：中国科学院大学微电子学院北京100049 中国科学院微电子研究所北京100029 

出 版 物：《光学学报》 (Acta Optica Sinica)

年 卷 期：2019年第39卷第12期

页      面：273-279页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家科技重大专项(2017ZX02315001-003) 国家自然科学基金(61804174) 

主　　题：光学设计 极紫外光刻 像差 特征尺寸偏差 工艺需求 

摘      要：13.5 nm波长极紫外(EUV)光刻机的分辨率虽然很高,但因波长的减小使其对像差的容忍度降低,有必要研究像差对EUV光刻成像的影响。针对四类典型像差的波前特征,选取对像差最敏感的四种测试图形,研究像差对光刻成像特征尺寸和最佳聚焦点偏差量的影响。在满足焦深要求的条件下,给出各单类像差的最大允许范围,最后将四类像差总值控制在0.04λ内,从仿真分析的角度研究了实际工艺生产对像差的要求,即总像差需控制在0.025λ以内,约0.34 nm。