Low Temperature Transport Properties of Multigraphene Structures on 6H-SiC Obtained by Thermal Graphitization： Evidences of a Presence of Nearly Perfect Graphene Layer
Low Temperature Transport Properties of Multigraphene Structures on 6H-SiC Obtained by Thermal Graphitization： Evidences of a Presence of Nearly Perfect Graphene Layer作者机构：A. F. loffe Institute Russian Academy of Sciences Saint Petersburg 194021 Russia National Research University of Information Technologies Mechanics and Optics Saint-Petersburg 197101 Russia International Laboratory of High Magnetic Fields and Low Temperatures Wroclaw 53421 Poland
出 版 物：《材料科学与工程（中英文A版）》 (Journal of Materials Science and Engineering A)
年 卷 期：2013年第3卷第11期
页 面：757-762页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 081702[工学-化学工艺] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
维普期刊数据库