非晶态Se薄膜晶化过程中微裂纹产生的研究
Study on Generation of Micro-Cracking During Crystallization of Se Thin Film作者机构：哈尔滨工业大学航天电子与光电工程系
出 版 物：《材料科学与工艺》 (Materials Science and Technology)
年 卷 期：1998年第6卷第3期
页 面：77-80页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：薄膜在热处理过程中存在微观结构的变化。利用光学显微镜对非晶态Ｓｅ薄膜在晶化过程中微裂纹的产生做了详细的分析和研究；利用位形坐标解释了非晶薄膜室温下转变的原因。并对三层结构的ＳｉＯ／Ｓｅ／ＳｉＯ的晶化做了进一步研究。结果表明微裂纹的产生与晶化过程中原子重新排序、原子迁移导致晶界的产生和体积收缩产生的应力有关，裂纹的产生还同薄膜与衬底间的热失配有关。
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