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Nd薄膜靶表面氧化过程研究

RESEARCH ON SURFACE OXIDIZING PROCESS OF Nd THIN FILM TARGET

作     者:赖珍荃 陈建荣 杜保旗 陈玲燕 王珏 

作者机构:同济大学物理系 南昌大学物理系 

出 版 物:《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)

年 卷 期:1997年第9卷第2期

页      面:289-292页

核心收录:

学科分类:070207[理学-光学] 07[理学] 0702[理学-物理学] 

基  金:国家863激光技术领域资助 

主  题:X光激光 AES 钕薄膜靶 表面氧化 激光 

摘      要:用Auger电子能谱(AES)对X光激光实验使用的Nd薄膜靶的表面氧化进行了分析,结合Ar离子束刻蚀进行元素的深度分布剖析,得到了表面氧化层厚度,所得结果与Ruther-ford背散射(RBS)方法测量的结果相吻合。实验表明,样品暴露在空气中20至30min,氧化即基本达到饱和,相应的氧化层厚度约为20nm。

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