自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术

作     者：邵凯 李炳宗 邹斯洵 黄维宁 吴卫军 房华 於伟峰 姜国宝 俞波 张敏 

作者机构：复旦大学电子工程系中国科学院上海冶金研究所深圳市思特达显示技术工程有限公司 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：1996年第17卷第4期

页      面：294-299页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：CMOS器件 外延生长 CoSi2 

摘      要：ＣＯ／Ｔｉ／Ｓｉ或ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构通过多步退火技术在Ｓｉ单晶衬底上外延生长ＣｏＳｉ２薄膜，ＡＥＳ、ＲＢＳ测试显示ＣｏＳｉ２薄膜具有良好均匀性和单晶性．这种硅化物新技术已用于ＣＭＯＳ器件工艺．采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术淀积氮氧化硅薄膜，并用反应离子刻蚀（ＲＩＥ）技术形成多晶硅栅边墙．固相外延ＣｏＳｉ２薄膜技术和边墙工艺相结合，经过选择腐蚀，可以分别在源漏区和栅区形成单晶ＣｏＳｉ２和多晶ＣｏＳｉ２薄膜，构成新型自对准硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）器件结构．在Ｎ阱ＣＭＯＳ工艺中应用这种新型ＳＡＬＩＣＩＤＥ器件结构。提高了ＭＯＳ晶体管和试验电路的性能．