低温双极晶体管的正向渡越时间研究
Investigation of Forward Transit Time in Bipolar Transistors at Low Temperature作者机构：东南大学微电子中心
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：1995年第15卷第1期
页 面：26-32页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金
摘 要：分析了禁带变窄效应和少子陷阱效应对低温双极晶体管正向渡越时间的影响，在此基础上，建立了综合两种效应的正向渡越时间模型，理论计算结果与实测值一致。
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