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低温下硅双极晶体管基区高注入禁带变窄效应

东南大学学报（自然科学版） 1993年第6期23卷 59-63页

作者：肖志雄郑茳东南大学微电子中心东南大学微电子中心

重掺杂效应是引起基区禁带变窄的主要原因，但是高注入也将引起禁带变窄效应，这一影响在低温下尤其明显。本文建立了低温下硅双极晶体管基区高注入禁带变窄效应的计算理论模型，获得的计算值与实验结果相一致。

关键词：高注入禁带变窄效应晶体管

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低温双极晶体管的正向渡越时间研究

固体电子学研究与进展 1995年第1期15卷 26-32页

作者：李垚沈克强魏同立东南大学微电子中心

分析了禁带变窄效应和少子陷阱效应对低温双极晶体管正向渡越时间的影响，在此基础上，建立了综合两种效应的正向渡越时间模型，理论计算结果与实测值一致。

关键词：低温禁带变窄效应正向渡时间双极晶体管

重掺杂硅费米能级和少数载流子浓度的温度特性分析

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低温物理学报 1995年第2期17卷 101-109页

作者：肖志雄郑茳魏同立卓伟王明网东南大学微电子中心

费米能级和少数载流子浓度是硅半导体的重要物理参数，它们与半导体掺杂杂质种类、掺杂浓度和温度都密切相关，至今尚未有一统一的数学模型，特别是在杂质重掺杂条件下进行定量的计算。本文考虑了重掺杂引起的禁带变窄效应，建立了从７... 详细信息

费米能级和少数载流子浓度是硅半导体的重要物理参数，它们与半导体掺杂杂质种类、掺杂浓度和温度都密切相关，至今尚未有一统一的数学模型，特别是在杂质重掺杂条件下进行定量的计算。本文考虑了重掺杂引起的禁带变窄效应，建立了从７７Ｋ到３００Ｋ广为适用的数学模型，着重分析了重掺杂条件下它们的温度特性，获得的计算结果与文献数据较好吻合。这为低温半导体器件的设计提供了有益的理论基础。

关键词：费米能级禁带变窄效应载流子浓度载流子密度重掺杂温度特性

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功率器件注入效率的限制因素

微纳电子技术 1977年第2期 1-8页

作者： Michael S.Adler 周焕文

本文用精确的双极晶体管一维模型叙述了禁带变窄、SRH（肖克莱-里德-霍尔）复合、俄歇复合、载流子-载流子散射和载流子-晶格散射等机构。利用这种晶体管作为一种工具,来研究决定发射极结深为1～8微米的器件的发射极效率的上述这些现象... 详细信息

本文用精确的双极晶体管一维模型叙述了禁带变窄、SRH（肖克莱-里德-霍尔）复合、俄歇复合、载流子-载流子散射和载流子-晶格散射等机构。利用这种晶体管作为一种工具,来研究决定发射极结深为1～8微米的器件的发射极效率的上述这些现象中的每一个现象的相对重要性。结果表明,禁带变窄对2微米或更浅的浅发射极器件是主要的影响因素,SRH 复合对发射极结深大于4微米的器件是主要的影响因素。所给出的计算也表明,对具有1～8微米发射极结深的器件来说,发射极表面浓度和高注入对电流增益有影响。结果表明,对1微米的发射极结深的器件,最佳表面浓度为5×1019厘米-3,而对发射极结深大于4微米的器件,直到1021厘米-3还没有达到最佳值。

关键词：发射极器件电流增益注入效率禁带变窄效应结深发射区

硅p+in+結正向电流-电压特性的計算分析

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电子科技大学学报 1983年第1期 40-57页

作者：謝孟賢

通过计算分析了俄歇（Auger）复合、载流子间散射、禁帚变窄和端头区复合等各种因素对p+in+结正向压降的影响。讨论了p+in+结正向压降与本征区（i区）长度和材料双极寿命及溫度的共系等,这对设计低损耗p+in+二极管和大功率器件是很有用... 详细信息

通过计算分析了俄歇（Auger）复合、载流子间散射、禁帚变窄和端头区复合等各种因素对p+in+结正向压降的影响。讨论了p+in+结正向压降与本征区（i区）长度和材料双极寿命及溫度的共系等,这对设计低损耗p+in+二极管和大功率器件是很有用处的。

关键词：正向压降电压特性计算分析电流密度俄歇复合载流子浓度载流子密度禁带变窄效应

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功率晶体管热稳定性的研究

电子器件 1986年第4期 71-74页

作者：冯耀兰郑茳朱健

晶体管电流增益是一个温度敏感参数,其随温度变化的结果直接影响电子设备的稳定性和可靠性,这一点对大功率晶体管尤为显著。目前在这方面虽然有所报道,但还未臻完善。本文对大功率晶体管电流增益热稳定性进行了机理上的研究和验证,考虑... 详细信息

晶体管电流增益是一个温度敏感参数,其随温度变化的结果直接影响电子设备的稳定性和可靠性,这一点对大功率晶体管尤为显著。目前在这方面虽然有所报道,但还未臻完善。本文对大功率晶体管电流增益热稳定性进行了机理上的研究和验证,考虑了不同工作条件对电流增益热稳定性韵影响,得出了一些有益的结论,这为大功率晶体管的使用和热稳定性的改善提供了客观依据。

关键词：功率晶体管热稳定性巨型晶体管电力电子器件热力学性质电流增益基区禁带变窄效应

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光电子技术与器件红外技术与器件

中国光学 2005年第1期 70-74页

TN211 2005010523 卷云在红外波段的散射特性=Single-scattering properties of cirrus clouds in infrared region[刊,中]／薛方芳(中科院安徽光机所国家863计划大气光学重点实验室．安徽,合肥(230031)),魏合理…∥激光与红外．-2004,34(4).- 286-291 用T矩阵(T-matrix)、Lorenz-Mie等效球和几何光学 (GOM)相结合的方法计算了六角冰晶尺度在1-10000 μm范国内、波长在红外2．5-13 μm范围内的散射特性。依据实际测定的30种卷云粒子尺度分布。

关键词：红外静态参数光电子技术红外辐射激光工程西安电子科技大学应用光学红外成像系统实验结果禁带变窄效应红外热像技术