SOI结构材料红外吸收光谱的研究

作     者：温梦全 卢殿通 林敬与 唐荣奇 

作者机构：北京航空航天大学应用数理系北京师范大学低能物理所国防科技大学应用物理系 

出 版 物：《北京航空航天大学学报》 (Journal of Beijing University of Aeronautics and Astronautics)

年 卷 期：1994年第20卷第4期

页      面：452-456页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家部委项目 

主　　题：硅膜 红外光谱学 郎伯定律 红外吸收光谱 

摘      要：用ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙ Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ，即氧注入隔离）技术制备ＳＯＩ－ＣＭＯＳ用的ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ＯｎＩｎｓｕ ｌａｔｏｒ，即绝缘体上长单晶硅膜）样品；对ＳＯＩ样品红外吸收光谱的分析，从而计算了ＳＯＩ结构材料中ＳｉＯ２埋层的厚度；测试样品不同点的红外吸收光谱，可考察样品ＳｉＯ２埋层厚度的不均匀性，据此，并可分析与之相关的ＳＯＩ样品的质量参数．这种分析方法，是一种无损的检测手段，具有实用价值．