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SIMOX材料薄膜厚度的测量和分析

北京师范大学学报（自然科学版） 2003年第1期39卷 54-57页

作者：李艳卢殿通北京师范大学低能核物理研究所北京100875

讨论了由国产 LC- 1 4型强流氧离子注入机制备的 SIMOX(separation by implantedoxygen)材料薄膜厚度的测量和分析 .采用红外吸收光谱测量 SIMOX绝缘埋层的厚度 ,这是一种快速非破坏性测量方法 .根据离子注入原理估算表面硅层的厚度 ,... 详细信息

讨论了由国产 LC- 1 4型强流氧离子注入机制备的 SIMOX(separation by implantedoxygen)材料薄膜厚度的测量和分析 .采用红外吸收光谱测量 SIMOX绝缘埋层的厚度 ,这是一种快速非破坏性测量方法 .根据离子注入原理估算表面硅层的厚度 ,并分析了影响估算精度的各种因素 .

关键词： SIMOX材料红外吸收光谱厚度测量和分析

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氧离子注入硅SOI结构的椭偏谱研究

Journal of Semiconductors 1989年第2期10卷 132-140页

作者：梁中宁莫党卢殿通中山大学物理系北京师范大学低能核物理研究所

本文利用椭偏光谱法测量了能量为200keV、剂量为2×10^(18)cm^(-2)的^(16)O^+注入Si以及退火样品.应用多层介质膜模型和有效介质近似,分析了这些样品的SIMOX结构的各层厚度以及各层中的主要组份.提出了从椭偏谱粗略估算表层Si及埋层SiO_... 详细信息

本文利用椭偏光谱法测量了能量为200keV、剂量为2×10^(18)cm^(-2)的^(16)O^+注入Si以及退火样品.应用多层介质膜模型和有效介质近似,分析了这些样品的SIMOX结构的各层厚度以及各层中的主要组份.提出了从椭偏谱粗略估算表层Si及埋层SiO_2厚度的简单方法.研究结果表明,这种条件下的O^+注入Si可以形成SIMOX结构,经高温退火后,表层Si是较完整的单晶层,埋层SiO_2基本没有Si聚积物.椭偏谱的结果与背散射、扩展电阻测量和红外吸收光谱等结果作了比较.

关键词：椭偏光法离子注入 SOI结构硅

在MOS结构Si-SiO_2界面上的一个主界面缺陷

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中国科学（A辑） 1989年第3期20卷 283-291页

作者：陈开茅卢殿通北京大学物理系北京师范大学低能核物理所

本文用DLTS测量了P型硅MOS结构Si-SiO_2界面的缺陷,发现了一个主界面缺陷H_(it)(0.503),其特点是:在测量温度范围内,它的平均空穴离化吉布斯自由能ΔG_P≥0.503eV;当栅压使Si-SiO_2界面处Fermi能级与硅价带顶的距离明显小于ΔG_P时,它... 详细信息

本文用DLTS测量了P型硅MOS结构Si-SiO_2界面的缺陷,发现了一个主界面缺陷H_(it)(0.503),其特点是:在测量温度范围内,它的平均空穴离化吉布斯自由能ΔG_P≥0.503eV;当栅压使Si-SiO_2界面处Fermi能级与硅价带顶的距离明显小于ΔG_P时,它仍然具有很高的DLTS峰;随着半导体表面电位势的缩小,它的空穴表现激活能明显增大;它对空穴的俘获过程造成合脉冲宽度的多指数电容瞬态,难于用有限宽度的脉冲电压引进的空穴对其作饱和填充。上述实验结果表明:热氧化生长形成的Si-SiO_2系统的能带是从共价键硅的能带连续过渡到SiO_2的能带;H_(it)(0.503)分布在其中的过渡区中,它的能级与价带的距离随着离开硅表面越远而越大。

关键词： MOS结构 Si-SiO2界面界面缺陷

SIMOX薄膜材料的红外光谱特性和薄膜厚度的非破坏性测量方法

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Journal of Semiconductors 2000年第10期21卷 993-998页

作者：卢殿通 P.L.F.Hemment 北京师范大学低能核物理研究所北京市辐射中心北京100875 DepartmentofElectronicandElectricalEngineering

报道了 SOI材料薄膜厚度的非破坏性快速测量方法 ,详细地研究了 SIMOX材料的红外吸收光谱特性 ,求出了特征峰对应的吸收系数 .提出利用红外吸收光谱测量 SIMOX绝缘埋层厚度的非破坏性方法 ,并根据离子注入原理计算出表面硅层的厚度 .SI... 详细信息

报道了 SOI材料薄膜厚度的非破坏性快速测量方法 ,详细地研究了 SIMOX材料的红外吸收光谱特性 ,求出了特征峰对应的吸收系数 .提出利用红外吸收光谱测量 SIMOX绝缘埋层厚度的非破坏性方法 ,并根据离子注入原理计算出表面硅层的厚度 .SIMOX薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度是 SOI电路设计时最重要的两个参数 ,提供的非破坏性测量方法 ,测量误差小于5% .在 SIMOX材料开发利用、批量生产中 ,用此方法可及时方便地检测 SIMOX薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度。

关键词： SIMOX薄膜红外光谱非破坏性测量薄膜厚度

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SOI结构材料红外吸收光谱的研究

北京航空航天大学学报 1994年第4期20卷 452-456页

作者：温梦全卢殿通林敬与唐荣奇北京航空航天大学应用数理系北京师范大学低能物理所国防科技大学应用物理系

用ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙ　Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ　Ｏｘｙｇｅｎ，即氧注入隔离）技术制备ＳＯＩ－ＣＭＯＳ用的ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　ＯｎＩｎｓｕ　ｌａｔｏｒ，即绝缘体上长单晶硅膜）样品；对ＳＯＩ样品红外吸收光... 详细信息

用ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙ　Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ　Ｏｘｙｇｅｎ，即氧注入隔离）技术制备ＳＯＩ－ＣＭＯＳ用的ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　ＯｎＩｎｓｕ　ｌａｔｏｒ，即绝缘体上长单晶硅膜）样品；对ＳＯＩ样品红外吸收光谱的分析，从而计算了ＳＯＩ结构材料中ＳｉＯ２埋层的厚度；测试样品不同点的红外吸收光谱，可考察样品ＳｉＯ２埋层厚度的不均匀性，据此，并可分析与之相关的ＳＯＩ样品的质量参数．这种分析方法，是一种无损的检测手段，具有实用价值．

关键词：硅膜红外光谱学郎伯定律红外吸收光谱

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离子注入SOI薄膜材料的制备及性能

核技术 2000年第10期23卷 697-702页

作者：卢殿通黄栋 Heiner Ryssel Hemment P L F 北京师范大学低能核物理研究所北京市辐射中心北京100875 Fraungofer-Arbeitsgruppe fur Integrierte Schaitungem Abteilung fur Department of Electronic and Electrical Engineering

ＳＯＩ－ＣＭＯＳ电路具有高速度、低功耗、抗辐照等优点。用氧、氮离子注入硅中，得到性能良好的ＳＩＭＯＸ和ＳＩＭＮＩ薄膜材料。用扩展电阻、霍耳效应和深能级瞬态谱等多种方法研究了ＳＯＩ材料表面界面的电学性能。并对各种方法... 详细信息

ＳＯＩ－ＣＭＯＳ电路具有高速度、低功耗、抗辐照等优点。用氧、氮离子注入硅中，得到性能良好的ＳＩＭＯＸ和ＳＩＭＮＩ薄膜材料。用扩展电阻、霍耳效应和深能级瞬态谱等多种方法研究了ＳＯＩ材料表面界面的电学性能。并对各种方法进行了讨论。结果显示；用分步注入和分步退火制备的ＳＯＩ材料大大地改善了材料的电学性能。

关键词：离子注入电学性能 SOI薄膜材料制备

用质子激发X射线发射分析技术测量晶片表面的污染物

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北京师范大学学报（自然科学版） 2001年第5期37卷 612-614页

作者：朱光华卢殿通汪新福周宏余北京师范大学低能核物理研究所

介绍了PIXE(质子激发X射线发射 )分析技术分析硅晶片表面杂质元素的探测灵敏度和最低可探测限 .用此分析技术 ,对在几个注入机上进行的注氧硅晶片的污染情况进行了测定 .发现在有的注入机上注氧时带进了Cr,Mn ,Fe ,Cu等污染元素 .结果表... 详细信息

介绍了PIXE(质子激发X射线发射 )分析技术分析硅晶片表面杂质元素的探测灵敏度和最低可探测限 .用此分析技术 ,对在几个注入机上进行的注氧硅晶片的污染情况进行了测定 .发现在有的注入机上注氧时带进了Cr,Mn ,Fe ,Cu等污染元素 .结果表明 ,PIXE分析技术具有高灵敏、非破坏性等优点 ,十分适合在这一领域的研究中应用 .

关键词： PIXE分析晶片污染物硅器件

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离子注入SOI材料的制备、性能及应用

离子注入SOI材料的制备、性能及应用

CCAST“超精细相互作用与核固体物理”研讨会

作者：卢殿通北京师范大学低能核物理研究所

＜正＞SOI（Silicon On Insulator）材料是为了满足卫星、导弹、飞船航天电子控制系统的需要而发展起来的一种新型硅材料.采用这种材料制作的SOI—CMOS（Complementary Metal-Oxside-Semiconduator）电路,实现了完全介质隔离,具有无锁...

＜正＞SOI（Silicon On Insulator）材料是为了满足卫星、导弹、飞船航天电子控制系统的需要而发展起来的一种新型硅材料.采用这种材料制作的SOI—CMOS（Complementary Metal-Oxside-Semiconduator）电路,实现了完全介质隔离,具有无锁定、高速度、低功耗和强的抗福射能力等重要优点.因而受到世界各发达国家的高度重视.离子注入SOI材料,是把氧或氮注入硅单晶中形成绝缘埋层二氧化硅或氮化硅:即形成SIMOX（Separation by IMplamted OXygen）或 SIMNI（Separation byImplamted Nitrogen）材料,顶层硅仍保持单晶硅的性能.这种材料不但比SOS(Silicon

关键词：

来源： cnki会议评论

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固体C_(70)/Si异质结的界面电子态

Journal of Semiconductors 2000年第4期21卷 333-339页

作者：陈开茅孙文红吴克武兰青周锡煌顾镇南卢殿通北京大学物理系北京100871 北京大学化学系北京100871 北京师范大学低能核物理研究所北京100875

用深能级瞬态谱和高频电容 -电压技术研究了固体 C70 /Si异质结的界面电子态 .研究结果表明在 C70 /Si的界面上明显存在三个电子陷阱 Eit1( 0 .1 94)、Eit2 ( 0 .2 62 ) ,Eit3( 0 .40 7)和一个空穴陷阱 Hit1( 0 .471 ) ,以及在 C70 /Si... 详细信息

用深能级瞬态谱和高频电容 -电压技术研究了固体 C70 /Si异质结的界面电子态 .研究结果表明在 C70 /Si的界面上明显存在三个电子陷阱 Eit1( 0 .1 94)、Eit2 ( 0 .2 62 ) ,Eit3( 0 .40 7)和一个空穴陷阱 Hit1( 0 .471 ) ,以及在 C70 /Si界面附近存在着固体 C70 的电子和空穴陷阱引起的慢界面态 .结果还表明 C70 膜的生长温度对 C70 /Si的电学性质有重大影响 ,2 0 0℃生长的 C70

关键词：异质结界面电子态碳硅