透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层MOCVD过程中应变结构形成的研究
THE FORMATION OF STRAINED STATES OF AlGaAs/GaAs EPITAXIAL LAYERS OF TRANSPARENT GaAs PHOTOCATHODE DURING ITS MOCVD PROGRESS作者机构：中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室西安710068
出 版 物：《光子学报》 (Acta Photonica Sinica)
年 卷 期：2002年第31卷第2期
页 面：205-208页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：应变结构 晶格常量 透射式GaAs光电阴极 X射线衍射 AlGaAs/GaAs外延层 MOCVD 镓铝砷化合物 砷化镓 生长温度控制模型
摘 要：本文介绍了 Al Ga As/ Ga As外延层生长的应变状况的生长温度控制模型 ,并根据Al Ga As/ Ga As外延层 X射线衍射摇摆曲线的分析从实验上验证了 Al Ga As/ Ga
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