用多层掩模去除纳米压印工艺中的残胶
Clearing residual resist in nanoimprint lithography by multi-mask作者机构：华中科技大学光电子科学与工程学院武汉光电国家实验室 新一代光纤通信技术和网络国家重点实验室 武汉光迅科技股份有限公司
出 版 物：《光学精密工程》 (Optics and Precision Engineering)
年 卷 期：2013年第21卷第6期
页 面：1434-1439页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家863高技术研究发展计划资助项目(No.2011AA010304)
主 题：纳米压印技术 分布反馈激光器 残胶 多层掩模 软模板
摘 要：纳米压印工艺中的压印胶在固化后会发生聚合物的铰链,生成高分子聚合物,很难被一般有机溶剂清除,从而影响器件的性能。为有效去除压印残胶,提出一种利用多层掩模去除残胶的方法。该方法首先在基片和压印胶之间沉积一层50nm的二氧化硅作为硬掩模;接着用纳米压印工艺将光栅图形转移到压印胶上,再用干法刻蚀将光栅图形转移到基片上;最后,放入BOE(buffered oxide etchant)中漂洗数秒以去除残胶。文中总结了刻蚀底胶时间对光栅占空比的影响,对比了经过多层掩模去残胶和传统去残胶的方法处理后的光栅形貌。电镜图片结果显示,采用本文方法经过漂洗的光栅表面残胶去除干净,形貌良好,其周期约为240nm,深度约为82nm。实验表明,多层掩模去残胶的方法不仅能够有效地去除刻蚀残胶,同时能够避免光栅形貌的损坏。
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