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文献类型

  • 2 篇 期刊文献

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学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 电子科学与技术（可...
    • 1 篇 材料科学与工程（可...

主题

  • 2 篇 多层掩模
  • 1 篇 各向同性刻蚀
  • 1 篇 纳米压印技术
  • 1 篇 深刻蚀
  • 1 篇 分布反馈激光器
  • 1 篇 软模板
  • 1 篇 残胶
  • 1 篇 硅微机械加工

机构

  • 2 篇 华中科技大学
  • 1 篇 新一代光纤通信技...
  • 1 篇 武汉光迅科技股份...
  • 1 篇 湖北工业大学

作者

  • 1 篇 聂磊
  • 1 篇 刘文
  • 1 篇 王智浩
  • 1 篇 史铁林
  • 1 篇 周宁
  • 1 篇 陆向宁
  • 1 篇 陈鑫
  • 1 篇 赵建宜
  • 1 篇 王磊

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=多层掩模"
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用多层掩模去除纳米压印工艺中的残胶
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光学精密工程 2013年 第6期21卷 1434-1439页
作者： 陈鑫 赵建宜 王智浩 王磊 周宁 刘文 华中科技大学光电子科学与工程学院武汉光电国家实验室 新一代光纤通信技术和网络国家重点实验室 武汉光迅科技股份有限公司
纳米压印工艺中的压印胶在固化后会发生聚合物的铰链,生成高分子聚合物,很难被一般有机溶剂清除,从而影响器件的性能。为有效去除压印残胶,提出一种利用多层掩模去除残胶的方法。该方法首先在基片和压印胶之间沉积一层50nm的二氧化硅作... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
硅各向同性深刻蚀中的多层掩模工艺
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半导体光电 2010年 第4期31卷 553-556页
作者： 聂磊 史铁林 陆向宁 湖北工业大学质量工程重点实验室 武汉430068 华中科技大学武汉国家光电实验室 武汉430074
掩模制备是硅各向同性刻蚀中的一项重要工艺。要实现深刻蚀,掩模必须满足结构致密、强度大及抗腐蚀性好的要求。一般光刻胶掩模无法在刻蚀液中较长时间地保持其掩蔽性能,很难实现深刻蚀;而金属掩模也容易出现针孔及裂纹等缺陷。因此提... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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