碲锌镉单晶体的(110)面蚀坑形貌观察
Observation on Etch Pits on the (110) Faces of Cd_(1-x)Zn_xTe Crystals作者机构:四川大学材料科学系成都610064
出 版 物:《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)
年 卷 期:2004年第33卷第2期
页 面:180-183页
核心收录:
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学]
基 金:国家自然科学基金(60276030) 教育部博士点基金资助项目 四川省科技攻关重点项目(02GG009 010)
主 题:碲锌镉 单晶体 SEM形貌 腐蚀坑 密度 布里奇曼法 半导体材料
摘 要:本文报道了一种能够在室温下择优腐蚀碲锌镉(CZT)单晶体(110)晶面的腐蚀液配方,并对富Cd生长的CZT晶体蚀坑形貌进行了扫描电镜观察。结果表明晶体(110)面腐蚀坑形状为三角形,并初步对蚀坑的成因进行了分析,估算出CZT(110)面蚀坑密度约为103~105/cm2数量级。这说明富Cd原料的改进布里奇曼法可以生长出低蚀坑密度的CZT单晶体。