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[Mn(CHZ)_3](ClO_4)_2的制备、晶体结构和应用研究

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高等学校化学学报 2001年第6期22卷 895-897页

作者：张建国张同来魏昭荣郁开北北京理工大学八系84实验室北京100081 中国科学院成都分院分析测试中心成都640034

The title compound was prepared by mixing the aqueous solution of carbohydrazide and manganese perchlorate. It was characterized by X ray diffraction. The crystal of the title compound, [Mn(CHZ) 3](ClO 4) 2, belongs to space group P2 1/n with the crystal parameters a=1.019 7(2) nm, b=0.859 3(1) nm, c=2.141 2(3) nm, β=100.86(1)°; V=1.842 6(5) nm3, Z=4. The results show that all carbohydrazides are coordinated as bidentate by the oxygen atom of the carbonyl group and one nitrogen atom of the end group, forming a distorted octahedron. The explosive properties of the title complex were tested, the application in the engineering detonator was investigated.

关键词：高氯酸锰碳酰肼制备晶体结构爆炸性能起爆药含能材料

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CdZnTe晶体的缺陷能级分析

人工晶体学报 2004年第2期33卷 189-191页

作者：韦永林朱世富赵北君王瑞林高德友魏昭荣李含东唐世红四川大学材料科学系成都610064

通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体的I T特性曲线,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺陷,结果得到晶体中有一个由镉空位引起的电子陷阱,其深度为0.539eV。由于俘获能级有较高的激活能,在常温下... 详细信息

通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体的I T特性曲线,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺陷,结果得到晶体中有一个由镉空位引起的电子陷阱,其深度为0.539eV。由于俘获能级有较高的激活能,在常温下,价带上的载流子不会被激发,所以该晶体适用于制作室温核辐射探测器。另外还研究了CZT晶体在室温下的I V特性,测得采用该方法生长的CZT单晶体电阻率高达5.0×1010Ω·cm,制作的核辐射探测器在室温下获得了比较好的241Am59.5keV能谱。

关键词： CdZnTe晶体缺陷能级分析布里奇曼法激活能俘获能级电阻率碲锌镉单晶体

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碲锌镉单晶体的(110)面蚀坑形貌观察

人工晶体学报 2004年第2期33卷 180-183页

作者：高德友赵北君朱世富王瑞林魏昭荣李含冬韦永林唐世红四川大学材料科学系成都610064

本文报道了一种能够在室温下择优腐蚀碲锌镉(CZT)单晶体(110)晶面的腐蚀液配方,并对富Cd生长的CZT晶体蚀坑形貌进行了扫描电镜观察。结果表明晶体(110)面腐蚀坑形状为三角形,并初步对蚀坑的成因进行了分析,估算出CZT(110)面蚀坑密度约为... 详细信息

本文报道了一种能够在室温下择优腐蚀碲锌镉(CZT)单晶体(110)晶面的腐蚀液配方,并对富Cd生长的CZT晶体蚀坑形貌进行了扫描电镜观察。结果表明晶体(110)面腐蚀坑形状为三角形,并初步对蚀坑的成因进行了分析,估算出CZT(110)面蚀坑密度约为103～105/cm2数量级。这说明富Cd原料的改进布里奇曼法可以生长出低蚀坑密度的CZT单晶体。

关键词：碲锌镉单晶体 SEM形貌腐蚀坑密度布里奇曼法半导体材料

近空间升华法制备PbI_2厚膜及其性质研究

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功能材料 2011年第9期42卷 1555-1558页

作者：朱兴华杨定宇孙辉魏昭荣李乐中杨维清祖小涛电子科技大学物理电子学院四川成都610054 成都信息工程学院光电技术学院四川成都610225

采用近空间升华法在玻璃衬底上制备PbI2厚膜,研究了工艺参数对样品晶体结构、形貌和光致发光性质的影响。实验显示,沉积速率随着源温度的升高和沉积气压的下降而急剧增大。XRD谱表明PbI2膜为沿[001]晶向择优取向的六方多晶体,晶粒尺寸... 详细信息

采用近空间升华法在玻璃衬底上制备PbI2厚膜,研究了工艺参数对样品晶体结构、形貌和光致发光性质的影响。实验显示,沉积速率随着源温度的升高和沉积气压的下降而急剧增大。XRD谱表明PbI2膜为沿[001]晶向择优取向的六方多晶体,晶粒尺寸随沉积速率的增大而逐渐减小。同时,沉积速率增大还导致膜压应力变大,晶格常数减小,使(001)晶面衍射峰向大角度方向移动。SEM照片显示样品为(001)晶面堆积而成的片状晶粒结构,晶粒c轴与衬底平行。随着沉积速率的增大,晶粒有序性和膜致密度下降,同时(001)晶面上由于六方中心亚晶粒的出现而导致表面粗糙度大幅增大。样品的PL发光谱显示了本征发射特征,发光锋随沉积速率的增大向长波方向移动,同时峰位展宽,强度减弱。

关键词：近空间升华法 PbI2厚膜沉积速率压应力六方中心发光峰

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CdS多晶薄膜的制备与光学性质研究

人工晶体学报 2010年第B6期39卷 123-126页

作者：杨定宇朱兴华魏昭荣孙辉成都信息工程学院光电技术学院成都610225

采用电子束蒸发法制备CdS多晶薄膜,研究了衬底温度和退火方式对薄膜光学性质的影响。XRD测试显示,制备样品为六方相多晶结构,沿(002)晶向择优取向生长,在200℃衬底温度时具有最大的择优取向度。对样品的紫外-可见透过谱测试表明,随着衬... 详细信息

采用电子束蒸发法制备CdS多晶薄膜,研究了衬底温度和退火方式对薄膜光学性质的影响。XRD测试显示,制备样品为六方相多晶结构,沿(002)晶向择优取向生长,在200℃衬底温度时具有最大的择优取向度。对样品的紫外-可见透过谱测试表明,随着衬底温度的升高,薄膜的光吸收边逐渐变陡,光学带隙逐渐增大。退火后,CdS薄膜光吸收边变的更加陡直,光谱透过性能进一步提升,但光学带隙变化很小。此外,制备样品的XRD谱、光吸收边和光学带隙在250℃衬底温度下出现反常变化。同时对上述变化产生的根源进行了分析和讨论。

关键词： CdS多晶薄膜衬底温度光吸收边光学带隙

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γ辐射对阻燃材料性能的影响

核动力工程 2005年第3期26卷 264-267页

作者：魏昭荣朱世富赵北君邹红杨文彬韦永林四川大学成都610064 中国核动力研究设计院核燃料及材料国家重点实验室成都610041

对核电站广泛使用的电缆防火涂料和有机防火堵料进行了耐γ辐射的研究。结果表明:1000kGy以上的γ辐射能严重恶化电缆防火涂料的抗弯性、耐湿热性、耐冷热循环性。500kGy以上的γ辐射对有机防火堵料的耐火性和腐蚀性都有很大影响。

关键词： γ辐射电缆防火涂料有机防火堵料性能

电子束蒸发法制备MoO_3薄膜及其性质研究

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电子科技大学学报 2011年第6期40卷 933-936页

作者：魏昭荣杨定宇朱兴华杨维清成都信息工程学院光电技术学院成都610225

采用电子束蒸发法在玻璃衬底上制备MoO3薄膜。X射线衍射谱表明制备样品属于正交晶系,沿晶向择优取向生长。随着衬底温度的升高,样品的晶粒尺寸先增大后减小,退火后又增大。此外,样品的(040)衍射峰随衬底温度升高单调向低衍射角方向移动... 详细信息

采用电子束蒸发法在玻璃衬底上制备MoO3薄膜。X射线衍射谱表明制备样品属于正交晶系,沿晶向择优取向生长。随着衬底温度的升高,样品的晶粒尺寸先增大后减小,退火后又增大。此外,样品的(040)衍射峰随衬底温度升高单调向低衍射角方向移动。扫描电镜照片显示制备样品具有针状晶粒特征,退火后晶粒大小的分布趋于均匀。紫外–可见透过谱测试发现,随衬底温度的升高,一方面样品的光吸收边向长波方向移动,透过率降低;另一方面,样品的光学带隙由100℃时的2.93 eV降为300℃时的2.59 eV,经过500℃大气氛围下退火后,光学带隙减小至2.46 eV。

关键词：晶体结构电子束蒸发 MoO3薄膜表面形貌紫外-可见透过谱

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磷钼酸钙阻燃抑烟剂的制备和性能研究

塑料工业 2005年第1期33卷 52-54页

作者：魏昭荣朱世富赵北君高德友唐世红何知宇韦永林四川大学材料科学系四川成都610064

采用MoO3 、磷酸、氢氧化钙制得磷钼酸钙 ,利用XRD、IR、DSC和TG对其进行了表征 ;将磷钼酸钙作为阻燃抑烟剂加入到PVC中 ,并与常用的阻燃抑烟剂Sb2 O3 、MoO3 、Al (OH ) 3 等对照。结果表明 ,加入了磷钼酸钙的PVC材料的氧指数达到 2 7 ... 详细信息

采用MoO3 、磷酸、氢氧化钙制得磷钼酸钙 ,利用XRD、IR、DSC和TG对其进行了表征 ;将磷钼酸钙作为阻燃抑烟剂加入到PVC中 ,并与常用的阻燃抑烟剂Sb2 O3 、MoO3 、Al (OH ) 3 等对照。结果表明 ,加入了磷钼酸钙的PVC材料的氧指数达到 2 7 1% ,有焰燃烧的烟密度为 2 97,无焰燃烧的烟密度为 3 5 1,具有良好的阻燃抑烟性能。

关键词：磷钼酸钙阻燃抑烟剂制备

富铅配料合成PbI_2多晶及其熔体分层研究

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人工晶体学报 2007年第3期36卷 494-497页

作者：朱兴华赵北君朱世富金应荣向安平魏昭荣成都信息工程学院光电技术系成都610225 四川大学材料科学系成都610064 西华大学材料科学与工程学院成都610039

富Pb配料、采用两温区气相输运法合成了单相的PbI2多晶材料,实验中出现熔体分层的现象。对合成结果的X射线衍射分析(XRD)和能量色散X射线微区分析(EDX)结果表明:富余的Pb沉积于石英安瓿的底部,与合成的单相PbI2多晶材料分离。根据富Pb... 详细信息

富Pb配料、采用两温区气相输运法合成了单相的PbI2多晶材料,实验中出现熔体分层的现象。对合成结果的X射线衍射分析(XRD)和能量色散X射线微区分析(EDX)结果表明:富余的Pb沉积于石英安瓿的底部,与合成的单相PbI2多晶材料分离。根据富Pb配料的范围,结合文献的实验数据,可以确定在Pb-I相图中存在一个新的液相分层区域L2+L3,该区域对PbI2多晶合成和晶体生长具有指导作用。以合成的单相PbI2多晶为原料,采用垂直布里奇曼法生长出了尺寸为15mm×30mm、外观完整、呈桔红色的PbI2晶体。

关键词：富铅配料多晶合成熔体分层晶体生长