毫米波单片集成低噪声放大器电路

作     者：王闯 钱蓉 孙晓玮 Wang Chuang;Qian Rong;Sun Xiaowei

作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院北京100039 

出 版 物：《高技术通讯》 (Chinese High Technology Letters)

年 卷 期：2007年第17卷第1期

页      面：11-14页

核心收录：

学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：863计划(2003AA834025)资助项目 

主　　题：PHEMT 毫米波 微波单片集成电路 低噪声放大器 

摘      要：基于0．25μm PHEMT（赝配高电子迁移率场效应晶体管）工艺，给出了一款毫米波MMIC（单片集成电路）低噪声放大器。放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构，通过前级源极反馈电感的恰当选取获得了较好的输入驻波比和较低的噪声；采用直流偏置上加电阻电容网络，用来消除低频增益和振荡；三级电路通过电阻共用一组正负电源，使用方便，且电路性能较好：输入输出驻波比小于2．0，增益大于15dB，噪声系数小于3．0dB。1dB压缩点输出功率大于15dBm，芯片尺寸为lmm×2mm×0．1mm。这是国内报导的面积最小、性能最好的毫米波低噪声放大器。