直拉单晶硅中洁净区形成后铜沉淀行为的研究
Investigation of copper precipitation in denuded zone in Czochralski silicon作者机构：厦门大学材料学院厦门361005 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2013年第62卷第7期
页 面：305-310页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金(批准号:50902116) 硅材料国家重点实验室开放基金(批准号:SKL2012-17) 福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划资助的课题~~
摘 要：本文研究了直拉单晶硅中形成洁净区后过渡族金属杂质铜的沉淀行为.样品经过高低高三步常规热处理形成洁净区后,在不同温度下引入杂质铜,然后对样品分别进行普通热处理和快速热处理,通过腐蚀和光学显微镜研究发现,在700℃引入铜杂质后经过普通热处理和快速热处理都不会破坏洁净区,在900℃和1100℃引入铜杂质后经过普通热处理不会破坏洁净区,而经过快速热处理会破坏洁净区.研究表明,快速热处理可以使硅片体内产生大量的空位,空位的外扩散是破坏洁净区的主要原因.
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