GaAs中Be受主的光热电离光谱研究

作     者：袁先漳 陆卫 史国良 陈益栋 陈张海 李宁 沈学础 YUAN Xian-Zhang;LU Wei;SHI Guo-Liang;CHEN Yi-Dong;CHEN Zhang-Hai;LI Ning;SHEN Xue-Chu

作者机构：中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 

出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)

年 卷 期：2000年第19卷第5期

页      面：385-388页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金!(编号 196740 60 )资助项目&& 

主　　题：浅杂质 受主 光热电离光谱 砷化镓 半导体 铍 

摘      要：应用光热电离光谱方法研究了 MBE生长 Ga As薄膜中 Be受主的杂质能级 .通过与理论计算的比较 ,将观测到的 3个跃迁峰归属于 G线、C线和 D线跃迁 ,同时在实验上也观察到 Be受主 1s3/ 2 (Γ+ 8)态到 2 p1 / 2 (Γ- 6 )态跃迁 ,由实验结果算得 Be受主的电离能为 2 8.6 me V.