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光电导光谱在半导体及其微结构研究中的若干应用

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温州师范学院学报 2003年第5期24卷 5-10页

作者：袁先漳温州师范学院物理与电子信息学院浙江温州325027

在简要介绍半导体光电导现象的基本分类和实验测量方法的基础上,结合作者的工作领域,具体介绍了光电导光谱在半导体及其微结构研究中的若干应用.

关键词：光电导光谱半导体微结构

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掺杂Al对DC反应溅射ZnO薄膜的影响

压电与声光 2007年第3期29卷 324-327页

作者：赵强孙艳郑丁葳倪晟王基庆袁先漳华东师范大学物理系上海200241 中科院上海技术物理研究所上海200083 华东师范大学电子科学与技术系上海200241 温州大学物理与电子信息学院浙江温州325027

采用金属单质靶和直流反应溅射制备了不同Al含量(摩尔分数)掺杂的ZnO薄膜,得到的薄膜均为c-轴择优取向的纤锌矿结构,在可见波段具有很高的透过率。薄膜的晶面间距、光学折射率和带隙在掺Al的起始阶段变化很大,待Al掺杂量达到一定值后,... 详细信息

采用金属单质靶和直流反应溅射制备了不同Al含量(摩尔分数)掺杂的ZnO薄膜,得到的薄膜均为c-轴择优取向的纤锌矿结构,在可见波段具有很高的透过率。薄膜的晶面间距、光学折射率和带隙在掺Al的起始阶段变化很大,待Al掺杂量达到一定值后,光学折射率和带隙的变化不大,薄膜的晶面间距趋于一稳定值0.266 nm。分析表明掺杂的Al均作为施主对载流子浓度作出了贡献,影响薄膜导电性能的主要原因被推断为晶格中的缺陷等因素导致了载流子的局域束缚。

关键词： ZnO薄膜电阻率反应溅射

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自拉曼混频黄绿波段三波长可切换激光

物理学报 2020年第12期69卷 37-42页

作者：孙瑛璐段延敏程梦瑶袁先漳张立张栋朱海永温州大学激光与光电子技术研究所温州325035

报道了高效的Nd:YVO4晶体自拉曼结合二阶非线性光学混频实现黄绿波段三波长可选输出.从改善热效应和增加拉曼介质长度出发,设计双端键合的YVO4/Nd:YVO4/YVO4晶体用于自拉曼变频.考虑混频转换效率和混频波长切换的便捷性,选用临界相位匹... 详细信息

报道了高效的Nd:YVO4晶体自拉曼结合二阶非线性光学混频实现黄绿波段三波长可选输出.从改善热效应和增加拉曼介质长度出发,设计双端键合的YVO4/Nd:YVO4/YVO4晶体用于自拉曼变频.考虑混频转换效率和混频波长切换的便捷性,选用临界相位匹配的BaB2O4(BBO)晶体作为二阶非线性光学混频晶体.只需微调BBO晶体匹配角度在1.4°内,就可成功实现基频光和一阶斯托克斯光之间的倍频与和频,获得高效的532 nm绿光、559 nm黄绿光和588 nm黄光三个波长可切换输出.在19.5 W抽运功率和60 kHz的重复频率下,三个波长激光的最高平均输出功率分别为4.37 W,2.03 W和3.43 W,对应抽运光到可见光的转换效率分别达22.4%,10.4%和17.6%,对应脉冲宽度分别为36 ns,12.2 ns和12.7 ns.可见波段波长可切换激光器可满足激光医疗、显示、光谱成像和生物光子学等领域对多种波长激光的应用需求.

关键词：自拉曼 Nd:YVO4晶体可见光波长可切换

Zn_(0.04)Cd_(0.96)Te中深能级的红外光电导谱研究

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物理学报 2001年第4期50卷 775-778页

作者：袁先漳裴慧元陆卫李宁史国良方家熊沈学础中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

应用红外光电导谱研究半绝缘 p型Zn0 .0 4 Cd0 .96Te中的深能级 ,在温度从 4.2到 16 5K范围内 ,观察到了位于0 .2 4,0 .34 ,0 .38,0 .47,0 .5 5和 0 .80eV处 6个光电导响应峰 .结合 4.2K下光致发光谱的测量结果以及对ZnxCd1-xTe中深能... 详细信息

应用红外光电导谱研究半绝缘 p型Zn0 .0 4 Cd0 .96Te中的深能级 ,在温度从 4.2到 16 5K范围内 ,观察到了位于0 .2 4,0 .34 ,0 .38,0 .47,0 .5 5和 0 .80eV处 6个光电导响应峰 .结合 4.2K下光致发光谱的测量结果以及对ZnxCd1-xTe中深能级发光光谱、深能级瞬态谱等已有的研究结果。

关键词：光电导深能级碲锌镉

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GaAs中Be受主的光热电离光谱研究

红外与毫米波学报 2000年第5期19卷 385-388页

作者：袁先漳陆卫史国良陈益栋陈张海李宁沈学础中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

应用光热电离光谱方法研究了 MBE生长 Ga As薄膜中 Be受主的杂质能级 .通过与理论计算的比较 ,将观测到的 3个跃迁峰归属于 G线、C线和 D线跃迁 ,同时在实验上也观察到 Be受主 1s3/ 2 (Γ+ 8)态到 2 p1 / 2 (Γ- 6 )态跃迁 ,由实验结果... 详细信息

应用光热电离光谱方法研究了 MBE生长 Ga As薄膜中 Be受主的杂质能级 .通过与理论计算的比较 ,将观测到的 3个跃迁峰归属于 G线、C线和 D线跃迁 ,同时在实验上也观察到 Be受主 1s3/ 2 (Γ+ 8)态到 2 p1 / 2 (Γ- 6 )态跃迁 ,由实验结果算得 Be受主的电离能为 2 8.6 me V.

关键词：浅杂质受主光热电离光谱砷化镓半导体铍

Nd:YAG/Cr^(4+):YAG/YAG键合晶体调Q激光输出特性研究

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光子学报 2018年第2期47卷 199-204页

作者：郭俊宏段延敏张静袁先漳颜利芬王鸿雁朱海永温州大学物理与电子信息工程学院浙江温州325035 青岛海泰光电技术有限公司山东青岛266100

对激光二极管端面抽运Nd:YAG/Cr^(4+):YAG/YAG键合晶体的1 064nm被动调Q激光性能进行了研究.对比分析了Cr^(4+):YAG晶体初始透过率分别为84.9%和90.6%的调Q激光输出特性,以及不同耦合输出镜透过率对调Q性能的影响.结果表明,在特定抽运... 详细信息

对激光二极管端面抽运Nd:YAG/Cr^(4+):YAG/YAG键合晶体的1 064nm被动调Q激光性能进行了研究.对比分析了Cr^(4+):YAG晶体初始透过率分别为84.9%和90.6%的调Q激光输出特性,以及不同耦合输出镜透过率对调Q性能的影响.结果表明,在特定抽运功率下,各输出特性参数的优化(高输出功率,高重复频率,窄脉冲宽度)分别对应一个最佳的输出镜透过率;随着抽运功率增加,对应最佳的输出镜透过率越大.对比两种初始透过率的Cr^(4+):YAG晶体对应的激光输出特性,84.9%初始透过率的晶体获得相对较低的平均输出功率,但相应的重复频率较小,脉冲宽度窄,使得调Q激光的峰值功率明显提高.采用30%透过率的耦合输出镜和10.4 W入射抽运功率下,获得了3.2 W平均输出功率、9.7ns脉冲宽度和52kHz重复频率的激光输出,经计算可知峰值功率达6.3kW.

关键词：被动调Q Nd:YAG/Cr^4+ YAG/YAG 可饱和吸收体 1 064 nm激光 LD端面抽运

Evolution of a two-mode squeezed vacuum in the amplitude dissipative channel

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Chinese Physics B 2011年第12期20卷 43-46页

作者：姜年权范洪义席留生唐龙英袁先漳 College of Physics and Electric Information Wenzhou University Department of Physics Shanghai Jiao Tong University College of Foreign Languages Wenzhou University

For the first time we derive the dissipating result of an initial two-mode squeezed pure vacuum state passing through a two-mode amplitude dissipative channel described by the direct product of two independent single-mode master equations. Although these two master equations do not mix the two modes （there is no coupling between them）, since the two-mode squeezed state is simultaneously an entangled state, the final state which emerges from passing this channel is a two-mode mixed density operator. The compact expression of the outcoming state is obtained, which manifestly shows that as time evolves, the squeezing effect decreases.

关键词： squeezed vacuum state dissipative channel master equation

GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱能级结构设计与光谱分析

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物理学报 2000年第4期49卷 797-801页

作者：李娜袁先漳李宁陆卫李志峰窦红飞沈学础金莉李宏伟周均铭黄绮中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院物理研究所北京100080

通过理论计算对用于量子阱红外探测器的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构进行模拟设计 ,将不同生长结构的量子阱材料的光响应谱和光致荧光谱 (PL)与计算结果进行比较 .说明量子阱生长结构与量子阱能级结构的关系 .欲使量子阱红外探测器的... 详细信息

通过理论计算对用于量子阱红外探测器的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构进行模拟设计 ,将不同生长结构的量子阱材料的光响应谱和光致荧光谱 (PL)与计算结果进行比较 .说明量子阱生长结构与量子阱能级结构的关系 .欲使量子阱红外探测器的响应峰值在 8μm附近 ,则需量子阱结构中阱宽为 4 7nm ,垒中Al含量为 0 2 9.理论计算与测试结果符合得较好 .

关键词：砷化镓能级结构光谱量子阱红外探测器

A simple scheme to generate χ-type four-charge entangled states in circuit QED

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Chinese Physics B 2012年第4期21卷 331-335页

作者：高贵龙宋付权黄寿胜王辉袁先漳王明锋姜年权 College of Physics and Electric Information Wenzhou UniversityWenzhou 325035China Department of Physics Zhejiang Normal UniversityJinhua 321004China

We propose a simple scheme to generate x-type four-charge entangled states by using SQUID-based charge qubits capacitively coupled to a transmission line resonator （TLR）. The coupling between the superconducting qubit and the TLR can be effectively controlled by properly adjusting the control parameters of the charge qubit. The experimental feasibility of our scheme is also shown.

关键词： x-type entangled state superconducting quantum interference device transmission line resonator superconducting charge qubit