快速退火气氛对硅片洁净区和表面形貌的影响
Effects of Rapid Thermal Annealing Ambient on Denuded Zone and Surface Morphology of Silicon Wafers作者机构：北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司北京100088 清华大学微电子学研究所北京100084
出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)
年 卷 期：2008年第38卷第4期
页 面：477-480页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：使用N2和N2／NH3混合气氛作为快速热退火（RTA）气氛，研究了RTA气氛对洁净区、氧沉淀和硅片表面形貌的影响。在N2／NH3混合气氛下，RTA处理后，硅片表面出现小坑，同时，微粗糙度增加，后续热处理工艺中会出现薄的洁净区（～10μm）和高密度的氧沉淀。经过N2气氛RTA处理的硅片，表面微粗糙度变化不大，后续热处理中获得较厚的洁净区（≥40μm）和较低的氧沉淀密度。
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