用复阻抗法研究光照下n-InP/溶液界面的扩散过程

作     者：张倩文 钱道荪 Zhang Qianwen~* Qian Daosun (Department of Applied Chemistry, Shanghai Jiao Tong University)

作者机构：上海交通大学应用化学系 

出 版 物：《物理化学学报》 (Acta Physico-Chimica Sinica)

年 卷 期：1989年第5卷第4期

页      面：483-486页

核心收录：

学科分类：081704[工学-应用化学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 

基　　金：国家自然科学基金 

主　　题：n-InP 半导体电极 界面扩散 复阻抗 

摘      要：近年来,一些作者测定了半导体电极的复阻抗,而n-InP的复阻抗至今未见报道。本文测定了n-InP在Fe3+/Fe2+溶液中的复平面图,它在低频区为一直线,应用Randles频谱图,证明其符合混合控制机理,研究了电极电位及光强对频谱图的影响,并用理论模型对实验结果进行了解释。理论部分n型半导体当电极电位负于平带电位时,表面为反型层,则氧化剂阴极还原过程为O+ne→R若反应完全不可逆,则电流密度J符合下列关系式: