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应用大信号电流阶跃法研究光照下半导体电极/溶液界面的击穿过程尚未见报导。本文用此法研究了光照下n-InP/Fe3+,Fe2+溶液的击穿行为,提出了击穿机理,测定了电流密度及光强的影响,计算了一些击穿时的参数。 1 实验部分实验用半导体电极为掺Sn的n-InP（（100）面）,其ND=2×1017cm-3。电解液组成为0.1mol·L-1FeCl3+0.1mol·L-1FeSO4+1mol·L-1HCl,测试方法同前文,电极电位相对于饱和甘汞电极。 2 结果及讨论图1为光强为40mW·cm-2时,不同电流密度下的光电压-时间曲线,从图1可看出,当电流密度较低时,光电压随时间增加而增加（曲线1及2）。而当电流密度较大时,光电压随时间而迅速上升并达到不变值（曲线3、4及5）,此时产生了击穿现象。

关键词：磷化铟半导体电极电流阶跃法

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n-InP旋转圆环圆盘电极在光跃下环暂态电流研究

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物理化学学报 1990年第5期6卷 638-640页

作者：钱道荪蔡东辰沈天憬上海交通大学应用化学系

半导体盘金属环旋转环盘电极在光强阶跃下环电流暂态技术的研究在文献上尚较少报道,Franco Decker对SrTiO_3进行了半定量研究,本文研究了n-InP电极,并对实验结果进行了定量处理及讨论. 实验部分实验装置如图1所示,半导体电极为n-InP[(1... 详细信息

半导体盘金属环旋转环盘电极在光强阶跃下环电流暂态技术的研究在文献上尚较少报道,Franco Decker对SrTiO_3进行了半定量研究,本文研究了n-InP电极,并对实验结果进行了定量处理及讨论. 实验部分实验装置如图1所示,半导体电极为n-InP[(100)面,N_0=2×10^(17)cm^(-3)],环用金,盘半径R_1,环内径R_2及外径R_3用读数显微镜测定,其值分别为3.76±0.2mm,4.24±0.04mm及6.05±0.06mm.溶液为0.101mol·L^(-1)K_4Fe(CN)_6。

关键词： n-磷化铟电极环暂态电流光跃

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用复阻抗法研究光照下n-InP/溶液界面的扩散过程

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物理化学学报 1989年第4期5卷 483-486页

作者：张倩文钱道荪上海交通大学应用化学系

近年来,一些作者测定了半导体电极的复阻抗,而n-InP的复阻抗至今未见报道。本文测定了n-InP在Fe3+/Fe2+溶液中的复平面图,它在低频区为一直线,应用Randles频谱图,证明其符合混合控制机理,研究了电极电位及光强对频谱图的影响,并用理论... 详细信息

近年来,一些作者测定了半导体电极的复阻抗,而n-InP的复阻抗至今未见报道。本文测定了n-InP在Fe3+/Fe2+溶液中的复平面图,它在低频区为一直线,应用Randles频谱图,证明其符合混合控制机理,研究了电极电位及光强对频谱图的影响,并用理论模型对实验结果进行了解释。理论部分n型半导体当电极电位负于平带电位时,表面为反型层,则氧化剂阴极还原过程为O+ne→R若反应完全不可逆,则电流密度J符合下列关系式:

关键词： n-InP 半导体电极界面扩散复阻抗

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