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复阻抗法分析聚吡咯材料的湿敏特性(英文)

物理化学学报 2009年第2期25卷 327-330页

作者：王蕊张彤贺媛耿旺昌牛立刚李晓天集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学电子科学与工程学院长春130012 吉林大学材料科学和工程学院长春130012

通过延长聚合时间到96h合成了一种对湿度敏感的聚吡咯材料.采用红外(IR)光谱,X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)的方法对合成的材料进行了表征.测量了基于该材料的湿敏元件的湿度特性,并且得到了在20Hz-100kHz频率范围内的复阻抗谱图... 详细信息

通过延长聚合时间到96h合成了一种对湿度敏感的聚吡咯材料.采用红外(IR)光谱,X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)的方法对合成的材料进行了表征.测量了基于该材料的湿敏元件的湿度特性,并且得到了在20Hz-100kHz频率范围内的复阻抗谱图.基于测量结果讨论了该材料制备的湿敏元件的湿度敏感机制.通过对复阻抗谱的分析研究了该湿敏元件的工作机理并且分析了参与导电的粒子.

关键词：聚吡咯湿敏元件复阻抗

等离子熔射制备梯度功能MOLB式SOFC及其复阻抗分析

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焊接学报 2008年第1期29卷 13-16页

作者：杨云珍王桂兰张海鸥夏卫生华中科技大学材料成形及模具技术国家重点试验室武汉431074 华中科技大学数字装备制造与技术国家重点试验室武汉430074

采用一种融合功能梯度材料设计思想与快速原型制造等离子熔射与机器人数字化成形技术于一体的新方法,借助自主研发的梯度功能送粉系统,多层连续熔射快速制造立体结构MOLB(mono-block layer built)式固体氧化物燃料电池SOFC(solid oxide ... 详细信息

采用一种融合功能梯度材料设计思想与快速原型制造等离子熔射与机器人数字化成形技术于一体的新方法,借助自主研发的梯度功能送粉系统,多层连续熔射快速制造立体结构MOLB(mono-block layer built)式固体氧化物燃料电池SOFC(solid oxide fuel cell)三合一电极PEN(positive electrolyte negative)部件。分析了PEN部件的成分、微观组织和阳极、阴极孔隙率的连续梯度变化规律,并利用复阻抗技术对其进行导电性能测试。结果表明,采用该方法能够获得含有成分、组织呈连续梯度变化的功能涂层的SOFC核心部件PEN;与不含有梯度层的PEN相比,不仅提高电极与电解质间的匹配性,改善电极孔隙率及其分布;而且大幅度减小功能梯度PEN部件界面接触电阻,有助于提高SOFC的电性能。

关键词：固体氧化物燃料电池等离子熔射梯度功能三合一电极复阻抗

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V型特性PTC材料的复阻抗解析

硅酸盐学报 1998年第1期26卷 53-57页

作者：王德君邱军桂治轮李龙土清华大学材料科学与工程系

采用复阻抗解析法研究了Ｖ型特性ＰＴＣ材料（Ｓｒ０．４５Ｐｂ０．５５）ＴｉＯ３的晶粒和晶界的电学性能．结果表明，Ｖ型ＰＴＣ效应来源于材料的晶界，Ｖ型ＰＴＣ效应是一种晶界效应．

关键词：复阻抗热敏电阻 V型氧化钛陶瓷陶瓷

用复阻抗法研究光照下n-InP/溶液界面的扩散过程

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物理化学学报 1989年第4期5卷 483-486页

作者：张倩文钱道荪上海交通大学应用化学系

近年来,一些作者测定了半导体电极的复阻抗,而n-InP的复阻抗至今未见报道。本文测定了n-InP在Fe3+/Fe2+溶液中的复平面图,它在低频区为一直线,应用Randles频谱图,证明其符合混合控制机理,研究了电极电位及光强对频谱图的影响,并用理论... 详细信息

近年来,一些作者测定了半导体电极的复阻抗,而n-InP的复阻抗至今未见报道。本文测定了n-InP在Fe3+/Fe2+溶液中的复平面图,它在低频区为一直线,应用Randles频谱图,证明其符合混合控制机理,研究了电极电位及光强对频谱图的影响,并用理论模型对实验结果进行了解释。理论部分n型半导体当电极电位负于平带电位时,表面为反型层,则氧化剂阴极还原过程为O+ne→R若反应完全不可逆,则电流密度J符合下列关系式:

关键词： n-InP 半导体电极界面扩散复阻抗

n-InP在Fe^(3+)/Fe^(2+)溶液中复阻抗的计算机拟合分析

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物理化学学报 1990年第4期6卷 425-429页

作者：钱道荪张倩文上海交通大学应用化学系

本文测定了不同电位及不同光强下,n-InP在Fe^(3+)/Fe^(2+)溶液中的复阻抗图,从一个等放电路用计算机对结果进行了拟合,并对拟合结果进行了讨论。

关键词： n-磷化yin 复阻抗计算机拟合

CoMnCuO系NTC热敏电阻的复阻抗分析

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材料科学与工程 2002年第3期20卷 386-389页

作者：苏树兵宋世庚郑应智艾拜都拉新疆物理所新疆乌鲁木齐830011 新疆医科大学基础部乌鲁木齐830054

本文研究了化学共沉淀工艺制备的CoMnCuo系NTC热敏电阻元件在不同温度下的复阻抗谱 ,并建立了相应的模拟等效电路。根据Cole Cole图 ,我们获得了材料的晶粒、晶界电阻随温度的变化关系。结果表明 :晶粒、晶界电阻与温度均呈E指数关系 ,... 详细信息

本文研究了化学共沉淀工艺制备的CoMnCuo系NTC热敏电阻元件在不同温度下的复阻抗谱 ,并建立了相应的模拟等效电路。根据Cole Cole图 ,我们获得了材料的晶粒、晶界电阻随温度的变化关系。结果表明 :晶粒、晶界电阻与温度均呈E指数关系 ,但晶界电阻远大于晶粒电阻。为此 ,我们与以往NTC热敏电阻的导电机制进行了比较。

关键词： CoMnCuO NTC热敏电阻复阻抗 NTC陶瓷 Cole-Cole图化学共沉淀复合氧化物钴锰铜

氧化钇稳定二氧化锆(YSZ)微波烧结陶瓷的复阻抗谱分析

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功能材料 2004年第Z1期35卷 936-938页

作者：赵青常爱民简家文巴维真李志军中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054 中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 新疆大学物理系新疆乌鲁木齐830046

研究了8mol%Y2O3掺杂ZrO2(8YSZ)材料微波烧结陶瓷在300～850℃温度范围内的交流复阻抗谱,获得了该材料的温度-离子电导率曲线,并与常规烧结的陶瓷体进行了比较.结果发现8YSZ的微波烧结陶瓷的晶界势垒在550℃被击穿,常规烧结陶瓷的晶界... 详细信息

研究了8mol%Y2O3掺杂ZrO2(8YSZ)材料微波烧结陶瓷在300～850℃温度范围内的交流复阻抗谱,获得了该材料的温度-离子电导率曲线,并与常规烧结的陶瓷体进行了比较.结果发现8YSZ的微波烧结陶瓷的晶界势垒在550℃被击穿,常规烧结陶瓷的晶界势垒在500℃被击穿.击穿后晶界电阻消失,离子电导率的变化主要由晶粒电导率的变化决定.在击穿温度点以下,陶瓷体的离子电导率随温度的升高呈波浪式上升,即曲线呈上升～下降～上升趋势.

关键词： YSZ 微波烧结复阻抗电导率

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复合钒钼酸干凝胶薄膜湿敏元件的复阻抗谱

传感器与微系统 2006年第5期25卷 39-41页

作者：李莉童茂松翁爱华大庆石油学院化学化工学院黑龙江大庆163318 大庆石油管理局测井公司黑龙江大庆163412 吉林大学地球探测科学与技术学院吉林长春130026

采用溶胶凝胶法制备了复合钒钼酸H2V12-xMoxO31±***2O(0≤x≤4.0)干凝胶薄膜湿敏元件,对其进行了复阻抗谱分析,结果表明:随着x的增加,对应的阻抗谱半圆的半径逐渐变大,x≥2.5时,电极表面接触部分在阻抗谱低频端开始体现,x=2.0时,阻抗... 详细信息

采用溶胶凝胶法制备了复合钒钼酸H2V12-xMoxO31±***2O(0≤x≤4.0)干凝胶薄膜湿敏元件,对其进行了复阻抗谱分析,结果表明:随着x的增加,对应的阻抗谱半圆的半径逐渐变大,x≥2.5时,电极表面接触部分在阻抗谱低频端开始体现,x=2.0时,阻抗值较大,且不受频率影响,元件性能较好;测试频率为1 kHz时,***2O干凝胶薄膜湿敏元件在全湿度范围内,其阻抗湿度曲线线性良好,灵敏度较高。

关键词：复合钒钼酸干凝胶薄膜湿敏元件复阻抗

BaTiO_3系PTCR材料电学性能的复阻抗解析

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硅酸盐学报 1996年第1期24卷 100-104页

作者：张中太齐建全唐子龙夏峰清华大学材料科学与工程系

采用复阻抗解析法研究了ＢａＴｉＯ_３系ＰＴＣＲ材料晶粒、晶界的电学性能。结果表明：使用欧姆接触电极的ＰＴＣＲ材料等效电路的复阻抗为　：晶粒电阻呈ＮＴＣ特性，而晶界电阻在Ｔ＜Ｔｃ时呈ＮＴＣ特性，Ｔ＞Ｔｃ时呈明显的ＰＴＣ... 详细信息

采用复阻抗解析法研究了ＢａＴｉＯ_３系ＰＴＣＲ材料晶粒、晶界的电学性能。结果表明：使用欧姆接触电极的ＰＴＣＲ材料等效电路的复阻抗为　：晶粒电阻呈ＮＴＣ特性，而晶界电阻在Ｔ＜Ｔｃ时呈ＮＴＣ特性，Ｔ＞Ｔｃ时呈明显的ＰＴＣ特性；ＰＴＣ效应是一种晶界效应。

关键词：钛酸钡晶粒晶界复阻抗电学性半导体材料