同质外延CVD金刚石膜的室温边发射(英文)

作     者：王春蕾 入江正丈 伊藤利道 WANG Chun－lei;Masatake Irie;Toshimichi Ito

作者机构：大阪大学工学部电气工学科 

出 版 物：《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)

年 卷 期：2001年第7卷第3期

页      面：281-283页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：" Research for the Future" program (No.96R15401) (from the Japan Society for Promotion of Science) 

主　　题：同质外延 金刚石膜 阴极荧光法 边发射 CVD 

摘      要：利用高功率微波等离子体化学气相沉积方法及合适的预处理方法成功地合成了无生长丘 的高品质金刚石膜。阴极荧光（ CL）结果表明在本工作的同质外延金刚石膜中，边发射在室温下也 是主峰之一。详细研究了室温下有异常粒子和无异常粒子的样品的 CL谱和 CL扫描图。发现边 发射主要产生于无异常粒子区域 ,而大多数异常粒子主要对位于 425nm的 Band A发射起作用。 因此抑制异常粒子的形成对提高同质外延金刚石膜的质量非常重要。