增强型GaN绝缘栅HEMT线性电荷控制解析模型

作     者：卢盛辉 杜江锋 罗谦 于奇 周伟 夏建新 杨谟华 LU Shenghui;DU Jiangfeng;LUO Qian;YU Qi;ZHOU Wei;XIA Jianxin;YANG Mohua

作者机构：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2010年第30卷第3期

页      面：323-326,440页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60576007) 

主　　题：线性电荷控制解析模型 增强型绝缘栅高电子迁移率晶体管 铝镓氮/氮化镓 

摘      要：基于MIS理论和含极化的泊松方程,应用费米能级与二维电子气密度线性近似,并考虑计入了绝缘体/AlGaN界面的陷阱或离子电荷,导出建立了适用于增强型且兼容耗尽型AlGaN/GaN绝缘栅HEMT的线性电荷控制解析模型。研究表明,Insulator/AlGaN界面陷阱密度在1013cm-2数量级;基于该模型的器件转移特性的理论结果与器件的实测转移特性数据比较符合。该模型可望用于器件性能评估和设计优化。