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机构

  • 1 篇 电子科技大学

作者

  • 1 篇 杜江锋
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  • 1 篇 杨谟华
  • 1 篇 夏建新
  • 1 篇 卢盛辉
  • 1 篇 周伟
  • 1 篇 于奇

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=增强型绝缘栅高电子迁移率晶体管"
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增强型GaN绝缘栅HEMT线性电荷控制解析模型
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固体电子学研究与进展 2010年 第3期30卷 323-326,440页
作者： 卢盛辉 杜江锋 罗谦 于奇 周伟 夏建新 杨谟华 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都610054
基于MIS理论和含极化的泊松方程,应用费米能级与二维电子气密度线性近似,并考虑计入了绝缘体/AlGaN界面的陷阱或离子电荷,导出建立了适用于增强型且兼容耗尽型AlGaN/GaN绝缘栅HEMT的线性电荷控制解析模型。研究表明,Insulator/AlGaN界... 详细信息
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