化合物半导体材料的正电子寿命计算
Calculation of positron lifetime of compound semiconductors作者机构：中国科学技术大学近代物理系合肥230026
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2010年第59卷第1期
页 面：603-608页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金(批准号:10675114 10835006)资助的课题~~
摘 要：在局域密度理论(LDA)和广义梯度理论(GGA)的基础上计算了ZnO,GaN,GaAs,SiC和InP五种化合物半导体材料中的正电子湮没信息,包括化合物半导体材料中的自由态正电子的湮没寿命;还有不同类型空位(单空位,双空位)附近俘获的束缚态正电子密度分布和湮没率分布,以及束缚态正电子的湮没寿命.
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