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快中子引起的背向溅射

高能物理与核物理 1999年第8期23卷 760-764页

作者：叶邦角周先意韩荣典中国科学技术大学近代物理系合肥230026

描述了用实验方法测量快中子引起的背向溅射，测量了Mg、Al、Sc、V、Fe、CO、Cu、Zr、Au和316型不锈钢等10种材料的背向溅射产额，并与正向产额进行了比较，发现背向和正向溅射产额的比值与核反应的类型有关．本实验的结果同其它小组的... 详细信息

描述了用实验方法测量快中子引起的背向溅射，测量了Mg、Al、Sc、V、Fe、CO、Cu、Zr、Au和316型不锈钢等10种材料的背向溅射产额，并与正向产额进行了比较，发现背向和正向溅射产额的比值与核反应的类型有关．本实验的结果同其它小组的结果进行了比较，并用溅射理论对实验结果进行了解释．

关键词：快中子溅射产额背向溅射金属反应堆

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线性代数 1版

高温超导外延薄膜YBa2Cu3O7-x中的空位型缺陷（英文）

丛书名：高等学校教学用书

1987年

作者：周先意

本书介绍了线性代数的基本解答方法以及线性代数的基本原理和例子等.

ISBN: (纸本)7308000036

本书介绍了线性代数的基本解答方法以及线性代数的基本原理和例子等.

关键词：数理科学和化学数学

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低温物理学报 1998年第5期 6-12页

作者：周先意,李毕友中国科学技术大学近代物理系中国科学院国际材料物理中心中国科学技术大学物理系

用正电子寿命技术研究了高温超导外延薄膜ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ中空位型缺陷的性质．结果表明，空位缺陷的类型与沉积条件无关，缺陷浓度随空气分压的增加或衬底温度的降低而增加．正电子平均寿命的温度依赖关系测量结果指出，当温度... 详细信息

用正电子寿命技术研究了高温超导外延薄膜ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ中空位型缺陷的性质．结果表明，空位缺陷的类型与沉积条件无关，缺陷浓度随空气分压的增加或衬底温度的降低而增加．正电子平均寿命的温度依赖关系测量结果指出，当温度在室温以上时，几乎所有的正电子都逃逸出浅捕获中心；当温度高于３７５Ｋ时，必须考虑其退火效应．

关键词：空位型缺陷 YBa2Cu3O 正电子轻子

超导金属玻璃Zr78Co22Ⅰ-Ⅴ曲线上的台阶结构

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低温物理学报 1989年第3期 200-206页

作者：赵勇,张其瑞,周先意中国科学技术大学物理系中国科学技术大学物理系中国科学技术大学物理系合肥合肥合肥

测量了非晶态超导合金 Zr78Co22的 I-V 特性,观察到了电压阶跃现象.基于超导相分离模型,提出了电流拨动机制.理论分析结果表明,这种超导相之间的拨流会导致电压阶跃的出现,从而完美地解释了实验现象.

关键词：金属玻璃分离模型台阶结构临界电流密度超导相正常态特性曲线赫德曲线超导体电流强度非晶态合金精密合金弛豫时间 Zr

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线性代数

作者：周先意

来源：南通市图书馆图书评论

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浅论大学学术团队的建设与管理

科技管理研究 2009年第6期29卷 469-471页

作者：魏英周先意中国科学技术大学安徽合肥230026

当今多学科交叉融合,科学、技术与社会相互渗透,使学术团队成为在科学技术探索中的新的组织模式之一。大学学术团队的建设,不仅关系到学校自身的建设与发展,还关系到我国创新型国家的建设,关系到自主创新能力的提高,以及在国际上科技竞... 详细信息

当今多学科交叉融合,科学、技术与社会相互渗透,使学术团队成为在科学技术探索中的新的组织模式之一。大学学术团队的建设,不仅关系到学校自身的建设与发展,还关系到我国创新型国家的建设,关系到自主创新能力的提高,以及在国际上科技竞争力的提升。学术团队建设既要自由探索,又要因势利导;既要遵循科技发展规律,又要符合人力资源管理原则。文章分析了学术团队的内涵与特征,对大学学术团队在组建、管理与发展过程中应注意的一些问题进行了探讨。

关键词：大学学术团队建设人力资源管理

分子束外延生长硅薄膜缺陷性质的单能慢正电子束研究

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核技术 2000年第2期23卷 69-73页

作者：周先意周先意朱凯张天昊杜江峰叶邦角周永钊韩荣典中国科学技术大学合肥230026 中国科学院国际材料物理中心沈阳110015

用慢正电子束流作为探针，测量了不同温度下用分子束外延生长的硅薄膜的正电子湮没Ｓ参数，讨论了外延层质量与生长温度及膜层厚度的关系，所得结论为：对于几百纳米厚的分子束外延生长层，５００℃左右是一个比较合适的生长温度范围。... 详细信息

用慢正电子束流作为探针，测量了不同温度下用分子束外延生长的硅薄膜的正电子湮没Ｓ参数，讨论了外延层质量与生长温度及膜层厚度的关系，所得结论为：对于几百纳米厚的分子束外延生长层，５００℃左右是一个比较合适的生长温度范围。温度过低，膜中将会含有大量的空位型缺陷；温度太高，杂质在材料中会有明显的扩散行为，对产品性能产生较大的影响。

关键词：分子束外延硅缺陷无损检测慢正电子束硅薄膜

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Y位元素对超导电性的作用

低温物理学报 1990年第5期12卷 337-343页

作者：张酣赵勇周先意张其瑞 230026 310027 中国科学技术大学中国科学技术大学近代物理系和中国科学院国际材料物理中心杭州浙江大学物理系浙江大学物理系合肥

测定了 Y;M;Ba;Cu;O;（M=D;,G;,Pr;x=0—1）体系的晶体结构,R（T）关系,氧含量,晶格能以及含 Pr 体系的载流子浓度,研究了它们之间的关联.发现在这些体系中,T;与晶格能之间有良好的对应关系,含 Pr 体系中存在强烈的电子态局域化效应.通... 详细信息

测定了 Y;M;Ba;Cu;O;（M=D;,G;,Pr;x=0—1）体系的晶体结构,R（T）关系,氧含量,晶格能以及含 Pr 体系的载流子浓度,研究了它们之间的关联.发现在这些体系中,T;与晶格能之间有良好的对应关系,含 Pr 体系中存在强烈的电子态局域化效应.通过仔细分析,作者认为,Y 位元素不仅起维持123相结构的作用,而且能改变正负离子之间的耦合强度,从而影响体系的超导电性.

关键词：藕合程度局域化电子态稀土元素 ⅢB族元素正负离子元素对

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Zr基金属玻璃电子输运性质的研究

低温物理学报 1991年第1期13卷 15-20页

作者：周先意张酣赵勇张其瑞 100871 110015 230026 中国科学院国际材料物理中心中国科学技术大学近代物理系北京大学物理系杭州310027 浙江大学物理系浙江大学物理系合肥

在4—300K 的温度区间内,测量了金属玻璃 Zr;Co;（x=22,28,33.2）和Zr;M;（M=Fe,Ni,Cu）的电阻温度关系.实验指出,这两组典型的 Zr 基金属玻璃的电子输运性质,有着共同的规律性.分析表明,在10K80K 时,这种规律与现有的理论有较大的偏离... 详细信息

在4—300K 的温度区间内,测量了金属玻璃 Zr;Co;（x=22,28,33.2）和Zr;M;（M=Fe,Ni,Cu）的电阻温度关系.实验指出,这两组典型的 Zr 基金属玻璃的电子输运性质,有着共同的规律性.分析表明,在10K80K 时,这种规律与现有的理论有较大的偏离,对这种偏离出现的可能起因作了讨论.

关键词：金属玻璃电子输运电阻非晶态合金电阻抗基金属弱局域化 Zr 输运性质