铟掺杂近化学计量比铌酸锂单晶的缺陷结构

作     者：方双全 黄新 马德才 张贺新 FANG Shuangquan;HUANG Ying;MA Decai;ZHANG Hexin

作者机构：扬州大学机械工程学院江苏扬州225127 中山大学物理与工程学院广东广州510275 哈尔滨工程大学材料科学与化学工程学院黑龙江哈尔滨150001 

出 版 物：《哈尔滨工程大学学报》 (Journal of Harbin Engineering University)

年 卷 期：2015年第36卷第10期

页      面：1409-1412页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(11372361) 扬州大学科技创新培育基金资助项目(2013CXJ020) 

主　　题：铌酸锂晶体 近化学计量比 缺陷结构 取代机理 阈值 铟 

摘      要：为了探讨抗光损伤介质在近化学计量比铌酸锂晶体中的占位机制,采用顶部籽晶助熔剂方法（TSSG）生长了不同铟含量的近化学计量比铌酸锂（In：SLN）晶体,利用X射线衍射、差热分析,紫外-可见吸收光谱及红外光谱测试并研究了晶体中的缺陷结构变化规律。分析发现在近化学计量比铌酸锂晶体中,In2O3的阈值浓度介于1%~1.5%。缺陷结构研究表明,当In2O3掺杂量低于阈值浓度时,In^3＋离子优先取代NbLi^4＋,形成InLi^2＋离子;当In2O3掺杂浓度高于阈值浓度时,In^3＋离子开始同时占据正常的Li与Nb位,形成InLi^2＋-InNb^2-电荷自补偿结构。