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近化学计量比Tb:Fe:LiNbO_3晶体的光谱特性及组分测定

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人工晶体学报 2006年第2期35卷 315-318页

作者：刘金伟刘国庆江竹青陶世荃北京工业大学应用数理学院北京100022

按化学计量比,用提拉法成功生长了不同掺量的Tb:Fe:L iNbO3晶体,分别测量了掺杂L iNbO3晶体在紫外(313nm)曝光前后的吸收光谱,曝光后吸收谱线整体上移,找到了吸收谱线上移最大的掺量比。并用差热分析仪DTA测量了居里温度Tc,从而计算出L ... 详细信息

按化学计量比,用提拉法成功生长了不同掺量的Tb:Fe:L iNbO3晶体,分别测量了掺杂L iNbO3晶体在紫外(313nm)曝光前后的吸收光谱,曝光后吸收谱线整体上移,找到了吸收谱线上移最大的掺量比。并用差热分析仪DTA测量了居里温度Tc,从而计算出L i/Nb的比例。分析表明,Tb:Fe:L iNbO3晶体的存储性能与掺量、定比有密切的联系,是一种优良的大容量体全息记录材料。

关键词：铌酸锂晶体近化学计量比吸收光谱组分测定

近化学计量比LiNbO_3晶体光学性能的研究

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压电与声光 2004年第4期26卷 301-303页

作者：赵朝中张建荣宪伟徐玉恒哈尔滨师范大学物理系哈尔滨150080 哈尔滨工业大学应用化学系哈尔滨150001

采用助溶剂法和Li/Nb比改变法以Czochralski技术生长近化学计量比LiNbO3晶体(SLN)。测试晶体的吸收光谱,SLN的吸收边位于313nm,比同成分LiNbO3晶体(CLN)紫移9nm。测试晶体的红外光谱,SLN的OH-吸收峰有2个,分别位于3466cm-1和3480cm-1。... 详细信息

采用助溶剂法和Li/Nb比改变法以Czochralski技术生长近化学计量比LiNbO3晶体(SLN)。测试晶体的吸收光谱,SLN的吸收边位于313nm,比同成分LiNbO3晶体(CLN)紫移9nm。测试晶体的红外光谱,SLN的OH-吸收峰有2个,分别位于3466cm-1和3480cm-1。以Ar+激光器波长λ=514.5nm作光源测得化学计量比LiNbO3指数增益系数Γ为25cm-1,同成分LiNbO3晶体的指数增益系数为9cm-1。

关键词：近化学计量比光学性能吸收光谱

近化学计量比LiNbO3晶体各向畴形态的研究

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人工晶体学报 2005年第2期34卷 246-249页

作者：陈辉郑燕青路治平崔素贤王绍华施尔畏中国科学院上海硅酸盐研究所上海201800

本文对采用双坩埚提拉法生长的近化学计量比LiNbO3 晶体沿其各向切块腐蚀后通过直接观察和在金相显微镜下观察,对其各个面的畴结构进行了分析。我们发现晶体a面上由于镜相对称不反映畴结构,b面和c面上的腐蚀形貌则完全显露而且按一定的... 详细信息

本文对采用双坩埚提拉法生长的近化学计量比LiNbO3 晶体沿其各向切块腐蚀后通过直接观察和在金相显微镜下观察,对其各个面的畴结构进行了分析。我们发现晶体a面上由于镜相对称不反映畴结构,b面和c面上的腐蚀形貌则完全显露而且按一定的方向整齐地排列,证明我们生长的SLN晶体是完全单畴结构的晶体。

关键词：近化学计量比 LiNbO3晶体各向畴形态光学特性

近化学计量比掺镁铌酸锂晶体的抗光折变性能(英文)

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人工晶体学报 2004年第4期33卷 586-590页

作者：孔勇发许京军刘宏德王岩阎文博谢翔黄自恒陈绍林张光寅南开大学物理科学学院光电材料研发中心天津300071

应用气相传输平衡技术 ,我们获得了 3种近化学计量比掺镁铌酸锂晶体 ,晶体的掺镁量接近我们以前提出的第二阈值。在我们实验室所能达到的最大光强 2 6MW/cm2 照射下 ,在所有近化学计量比掺镁铌酸锂晶片中没有观察到光斑畸变 ,该光强比... 详细信息

应用气相传输平衡技术 ,我们获得了 3种近化学计量比掺镁铌酸锂晶体 ,晶体的掺镁量接近我们以前提出的第二阈值。在我们实验室所能达到的最大光强 2 6MW/cm2 照射下 ,在所有近化学计量比掺镁铌酸锂晶片中没有观察到光斑畸变 ,该光强比同成分铌酸锂晶体所能承受的光强高 6个量级 ,为目前已报道的铌酸锂晶体之最。应用双光束全息写入法测得掺 1.0mol%Mg近化学计量比铌酸锂晶体的光折变饱和值仅有 4 .6× 10 -7,比同成分铌酸锂晶体小两个量级 ,从已有实验数据推测 ,该晶体的抗光折变能力应当比同成分铌酸锂晶体高 9个量级以上。

关键词：近化学计量比抗光折变性掺镁铌酸锂晶体气相传输平衡技术

近化学计量比Mn：Fe：LiNbO_3晶体的生长及其光学性能(英文)

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硅酸盐学报 2007年第11期35卷 1535-1537页

作者：贾宝申赵业权申岩何焰蓝哈尔滨工业大学航天学院哈尔滨150001 国防科技大学物理系长沙410073

采用助熔剂提拉法,从掺入0.1%(摩尔分数)Fe_2O_3,0.2%MnO和11.2% K_2CO_3的同成分LiNbO_3熔体中生长出高质量近化学计量比Mn:Fe:LiNbO_3晶体。采用提拉法生长了相同掺杂的同成分晶体。与同成分晶体相比较,近化学计量比晶体的紫外吸收发... 详细信息

采用助熔剂提拉法,从掺入0.1%(摩尔分数)Fe_2O_3,0.2%MnO和11.2% K_2CO_3的同成分LiNbO_3熔体中生长出高质量近化学计量比Mn:Fe:LiNbO_3晶体。采用提拉法生长了相同掺杂的同成分晶体。与同成分晶体相比较,近化学计量比晶体的紫外吸收发生紫移,红外吸收变窄。利用二波耦合光路测试了晶体的衍射效率、增益系数和响应时间。结果显示:近化学计量比晶体的增益系数和衍射效率分别达到25 cm^(-1)和68.3%,响应时间为亚秒级。

关键词：近化学计量比铌酸锂吸收光谱衍射效率顶部籽晶法

近化学计量比铌酸锂晶体组分过冷与临界生长速率研究

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人工晶体学报 2005年第4期34卷 571-575页

作者：郑燕青施尔畏王绍华陈辉卢网平孔海宽陈建军路治平中国科学院上海硅酸盐研究所上海201800

本文在用双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的过程中观察到了组分过冷的实验数据,同时根据Tiller-Chalmers稳定性判据公式半定量计算了近化学计量比LiNbO3晶体临界生长速率的理值,得到一般电阻加热双坩埚提拉法生长近化学计量比Li... 详细信息

本文在用双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的过程中观察到了组分过冷的实验数据,同时根据Tiller-Chalmers稳定性判据公式半定量计算了近化学计量比LiNbO3晶体临界生长速率的理值,得到一般电阻加热双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的临界生长速率为0.1mm/h数量级。通过临界生长速率解释了一系列晶体生长的实验结果。提出了一些工艺措施来避免组分过冷,根据这些工艺获得了无包裹体的近化学计量比LiNbO3晶体。

关键词：双坩埚提拉法近化学计量比临界生长速率组分过冷

近化学计量比Zn:In:Fe:LiNbO_3晶体位相共轭性能和全息关联存储

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硅酸盐学报 2008年第8期36卷 1079-1083页

作者：王义杰于海涛徐超刘威于峰徐玉恒哈尔滨理工大学应用科学学院哈尔滨150080 哈尔滨工业大学应用化学系哈尔滨150001

以K2O为助溶剂,采用顶部籽晶溶液生长法生长掺ZnO为3%(摩尔分数)和 Fe2O3为0.03%(质量分数),In2O3分别为1%(摩尔分数),2%,3%的3种近化学计量比Zn:In:Fe:LiNbO3(near stoichiometric Zn:In:Fe:SLN)晶体。测量了3种晶体的红外光谱、位相共轭反射率和响应时间。结果表明:3 种不同In3+浓度的 Zn:In:Fe:SLN 晶体的红外光谱中,分别出现3个新的OH-吸收峰3502,3503cm-1和3504cm–1。晶体的稳态位相共轭反射率分别达到192%,172%和140%,响应时间分别为3.8,3.2min和2.4min。以Zn:In:Fe:SLN晶体作为存储介质和位相共轭镜进行全息关联存储实验,在输出平面上得到关联输出的清晰的图象。分别以原物的50%和25%信息寻址,50%信息寻址的关联存储图像清晰完整;25%信息寻址的图像基本完整。

关键词：锌铟铁共掺铌酸锂晶体近化学计量比位相共轭全息关联存储

近化学计量比铌酸锂晶体生长的新方法(英文)

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硅酸盐学报 2008年第5期36卷 608-611页

作者：吴剑波姚淑华夏宗仁秦小勇高磊刘宏王继扬中电科技德清华莹电子有限公司浙江德清313200 山东大学晶体材料国家重点实验室济南250100

在计算机温场模拟的基础上,探索设计了悬挂式双坩埚和均匀加料装置。在富锂(Li2O摩尔分数为58.5%)熔体中采用提拉法生长了φ50mm×50mm的近化学计量比铌酸锂晶体。测量结果表明:晶体的紫外吸收边发生了明显的蓝移,测得Li摩尔分数达到49.... 详细信息

在计算机温场模拟的基础上,探索设计了悬挂式双坩埚和均匀加料装置。在富锂(Li2O摩尔分数为58.5%)熔体中采用提拉法生长了φ50mm×50mm的近化学计量比铌酸锂晶体。测量结果表明:晶体的紫外吸收边发生了明显的蓝移,测得Li摩尔分数达到49.87%。利用干涉仪测量样品的光学均匀性,生长晶体均方根折射率不均匀性?n=7.250×10-5 cm-1。

关键词：铌酸锂近化学计量比提拉法悬挂式双坩埚

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近化学计量比铌酸锂晶体中机械孪晶的消除

人工晶体学报 2005年第1期34卷 43-47页

作者：宣晓峰赵均张学进朱永元南京大学物理系

在用掺钾的助熔剂提拉法生长近化学计量比LiNbO3 晶体时,长出的晶体尾部很容易出现孪晶裂纹现象,这种孪晶被认为是机械孪晶。这种孪晶的起因是由于晶体生长的收尾和从熔体中提起晶体阶段,在晶体底部产生直径的缩进,在缩进产生的台阶处... 详细信息

在用掺钾的助熔剂提拉法生长近化学计量比LiNbO3 晶体时,长出的晶体尾部很容易出现孪晶裂纹现象,这种孪晶被认为是机械孪晶。这种孪晶的起因是由于晶体生长的收尾和从熔体中提起晶体阶段,在晶体底部产生直径的缩进,在缩进产生的台阶处出现应力集中,从而造成孪晶的成核。通过采用适当的收尾过程,以避免直径台阶的出现,可以很好地消除这种孪晶及其引起的裂纹。

关键词：近化学计量比铌酸锂晶体近化学计量比提拉法晶体生长孪晶成核直径裂纹现象应力集中熔体