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沉淀剂对ZnO压敏陶瓷缺陷结构和电气性能的影响

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物理学报 2013年第22期62卷 333-339页

作者：王辉蔺家骏何锦强廖永力李盛涛西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室西安710049 南方电网科学研究院有限责任公司广州510080

研究了不同沉淀剂(NH4HCO3和NaOH)对共沉淀法制备的ZnO压敏陶瓷性能的影响.结果表明:不同的沉淀剂对ZnO压敏陶瓷的微观结构及电气性能有明显的影响.其中陶瓷微观结构的变化主要由沉淀剂本身的性质引起;而电气性能的改变除了与微观结构... 详细信息

研究了不同沉淀剂(NH4HCO3和NaOH)对共沉淀法制备的ZnO压敏陶瓷性能的影响.结果表明:不同的沉淀剂对ZnO压敏陶瓷的微观结构及电气性能有明显的影响.其中陶瓷微观结构的变化主要由沉淀剂本身的性质引起;而电气性能的改变除了与微观结构相关外,主要受不同沉淀剂对陶瓷晶界势垒参数的影响;此外,沉淀剂NaOH引入的Na+作为施主杂质离子掺杂ZnO压敏陶瓷,增加晶粒中的自由电子浓度,因此本征缺陷(锌填隙和氧空位)浓度受到抑制,而锌填隙浓度相对于氧空位而言对施主离子掺杂更为敏感.由此,采用共沉淀法制备ZnO压敏陶瓷粉体时,沉淀剂种类的选择很重要,即使微量的杂质也会引起压敏陶瓷性能的较大改变,应尽可能避免杂质离子的引入.

关键词： ZnO压敏陶瓷缺陷结构沉淀剂介电性能

LiF和AgCl中四角的V^(2+)中心的缺陷结构研究

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电子科技大学学报 2006年第4期35卷 500-502,506页

作者：高秀英邬劭轶魏望和颜微子电子科技大学物理电子学院成都610054

基于离子簇近似下四角场中3d3离子EPR参量的微扰公式,通过配位场方法对LiF和AgCl中四角V2+中心的缺陷结构和EPR参量进行了理论研究,提出V2+在LiF和AgCl中的缺陷结构模型,即处于杂质离子与C4轴方向上VC间的配体将由于VC的静电排斥作用而... 详细信息

基于离子簇近似下四角场中3d3离子EPR参量的微扰公式,通过配位场方法对LiF和AgCl中四角V2+中心的缺陷结构和EPR参量进行了理论研究,提出V2+在LiF和AgCl中的缺陷结构模型,即处于杂质离子与C4轴方向上VC间的配体将由于VC的静电排斥作用而朝靠近杂质离子的方向上位移一段距离?Z。根据上述缺陷结构模型得到的EPR参量理论值与实验值吻合较好。

关键词：缺陷结构电子顺磁共振晶体场和配位场理论重叠模型

ZnO压敏陶瓷缺陷结构表征及冲击老化机理研究

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物理学报 2012年第15期61卷 147-152页

作者：赵学童李建英李欢李盛涛西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室西安710049

对多元ZnO压敏陶瓷电阻片进行了多达14000次的大电流冲击老化试验,通过显微结构、电气性能及介电特性的测量对其缺陷结构进行了表征,并研究了缺陷结构与大电流冲击老化之间的关系.试验表明多次大电流冲击老化导致试样的电气性能明显下降... 详细信息

对多元ZnO压敏陶瓷电阻片进行了多达14000次的大电流冲击老化试验,通过显微结构、电气性能及介电特性的测量对其缺陷结构进行了表征,并研究了缺陷结构与大电流冲击老化之间的关系.试验表明多次大电流冲击老化导致试样的电气性能明显下降,发现ZnO压敏陶瓷的几何效应不仅受控于晶粒还与晶界密切相关.另外,通过介电谱分析观察到ZnO压敏陶瓷存在四种缺陷弛豫过程,低温-60℃下的两个缺陷弛豫峰激活能约为0.24 eV和0.35 eV,认为它们分别对应着本征的锌填隙缺陷L（Zni¨）和氧空位缺陷L（Vo＇）并且不受冲击老化的影响.高温80℃以上两个松弛峰的活化能约为0.71 eV和0.84 eV,认为它们分别对应着非本征的晶间相电子陷阱L（ingr）和晶界处界面态陷阱L（gb）.发现大电流冲击后,仅界面态陷阱激活能从0.84 eV降低到0.76 eV,认为界面态陷阱主要控制着ZnO压敏陶瓷的电气性能和稳定性.

关键词： ZnO压敏陶瓷缺陷结构冲击老化压敏电压

二硫化钼在电子束辐照下的缺陷结构演变及其物理机制研究进展

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材料导报 2024年第3期38卷 20-30页

作者：季雪梅郝驰朱秀梅苏江滨何祖明唐斌朱贤方常州大学微电子与控制工程学院电子科学与技术实验中心江苏常州213159 厦门大学物理科学与技术学院中国-澳大利亚功能纳米材料联合实验室福建厦门361005 东南大学电子科学与工程学院 MEMS教育部重点实验室南京210096

二硫化钼(MoS_(2))丰富的多原子结构赋予了它优异的电学、光学、催化等性能,这引起了人们的极大兴趣。而MoS_(2)中存在的缺陷结构往往会对其性能产生显著的影响,通常认为这种影响是负面的,因此以往的研究几乎都是在尽量避免缺陷结构的... 详细信息

二硫化钼(MoS_(2))丰富的多原子结构赋予了它优异的电学、光学、催化等性能,这引起了人们的极大兴趣。而MoS_(2)中存在的缺陷结构往往会对其性能产生显著的影响,通常认为这种影响是负面的,因此以往的研究几乎都是在尽量避免缺陷结构的产生。但是最近也有一些研究表明MoS_(2)缺陷的存在对其应用起到了积极作用。为了能够更好地利用MoS_(2)的缺陷结构,使其产生积极影响,首先需要了解这些缺陷结构,弄清楚它们的演变方式和相关物理机制,并用来指导MoS_(2)的可控纳米加工和实际应用。本文总结了MoS_(2)不同类型的缺陷结构以及在电子束辐照下MoS_(2)的结构演变行为,从中探究电子束与MoS_(2)缺陷结构交互作用的机理。通过分析传统物理机制的不足,提出了两个全新的概念——纳米曲率效应和电子束非热激活效应,分别从纳米空间限制角度和超快时间限制角度来挖掘这些实验现象背后的深层物理机制。最后,本文还提出了对MoS_(2)缺陷结构调制与纳米可控加工的看法和展望。

关键词：二硫化钼(MoS_(2)) 缺陷结构结构演变物理机制透射电子显微镜

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掺镁铌酸锂晶体的缺陷结构及其结晶化学分析

物理学报 1996年第11期45卷 1852-1858页

作者：刘建军张万林张光寅南开大学物理系

根据铌酸锂晶体本征缺陷的Ｌｉ空位模型，提出了掺镁铌酸锂晶体的缺陷结构模型；计算出了掺镁铌酸锂晶体中Ｌｉ２Ｏ，Ｎｂ２Ｏ５的含量、［Ｌｉ］／［Ｎｂ］比以及晶体的密度随掺镁浓度的变化关系．

关键词：铌酸锂晶体缺陷结构结晶化学

团块缺陷结构对岩石静动力学特性影响的数值模拟分析

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工程力学 2018年第1期35卷 88-97页

作者：崔圣华裴向军黄润秋孟祥瑞朱凌地质灾害防治与地质环境保护国家重点实验室(成都理工大学) 四川成都610059

基于颗粒流离散元法和PFC^(2D)程序构建含团块缺陷结构的岩石数值模型试样,指定试样中部1 cm半径范围为团块缺陷,通过0.1倍、1倍和10倍关系改变团块细观力学参数,构建A、B和C三种数值试样类别,分别进行三轴压缩和三轴疲劳试验。通过试... 详细信息

基于颗粒流离散元法和PFC^(2D)程序构建含团块缺陷结构的岩石数值模型试样,指定试样中部1 cm半径范围为团块缺陷,通过0.1倍、1倍和10倍关系改变团块细观力学参数,构建A、B和C三种数值试样类别,分别进行三轴压缩和三轴疲劳试验。通过试样破坏特征、强度特征、团块及周边应力、应变率特征分析缺陷岩石静、动力学特性。试验结果表明,压缩和疲劳荷载下A类试样在团块左右方向应力集中,而上下方向(包括团块内部)为低应力区;C类试样与之相反,B类试样无明显应力集中现象。无论压缩或疲劳荷载,A类试样团块应变率高于四周,C类试样与之相反,B类试样无明显应变率差异化。研究成果揭示:1)岩石内部团块状缺陷结构无论其材料强度高低均劣化岩石抗压强度;2)静动荷载加载过程中含团块缺陷岩石内部表现出应力场不均匀性和应变差异性。

关键词：颗粒流离散元法岩石三轴疲劳试验大光包滑坡应变率非协调变形非均质岩体缺陷结构

Sc：Mn：Fe：LiNbO_3晶体的缺陷结构及抗光损伤能力(英文)

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硅酸盐学报 2009年第1期37卷 135-137页

作者：郑威李光滨徐玉恒哈尔滨理工大学材料科学与工程学院哈尔滨150040 哈尔滨工业大学应用化学系哈尔滨150001

采用提拉法生长了不同Sc掺杂的Sc:Mn:Fe:LiNbO_3晶体,通过紫外-可见光谱测试分析了Sc:Mn:Fe:LiNbO_3晶体的缺陷结构,利用光斑畸变法表征了其抗光损伤能力。结果表明:当Sc_2O_3的浓度超过阈值浓度(1.5%,摩尔分数)时,Sc:Mn:Fe:LiNbO_3晶... 详细信息

采用提拉法生长了不同Sc掺杂的Sc:Mn:Fe:LiNbO_3晶体,通过紫外-可见光谱测试分析了Sc:Mn:Fe:LiNbO_3晶体的缺陷结构,利用光斑畸变法表征了其抗光损伤能力。结果表明:当Sc_2O_3的浓度超过阈值浓度(1.5%,摩尔分数)时,Sc:Mn:Fe:LiNbO_3晶体的抗光损伤能力远远高于未达到阈值浓度的晶体,其紫外-可见光谱将发生红移;当Sc_2O_3的浓度未达到阈值浓度时,随着Sc掺量的增加.Sc:Mn:Fe:LiNbO_3晶体的紫外-可见光谱将发生紫移。

关键词：钪锰铁铌酸锂晶体缺陷结构阈值浓度抗光损伤能力

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铟掺杂近化学计量比铌酸锂单晶的缺陷结构

哈尔滨工程大学学报 2015年第10期36卷 1409-1412页

作者：方双全黄新马德才张贺新扬州大学机械工程学院江苏扬州225127 中山大学物理与工程学院广东广州510275 哈尔滨工程大学材料科学与化学工程学院黑龙江哈尔滨150001

为了探讨抗光损伤介质在近化学计量比铌酸锂晶体中的占位机制,采用顶部籽晶助熔剂方法（TSSG）生长了不同铟含量的近化学计量比铌酸锂（In：SLN）晶体,利用X射线衍射、差热分析,紫外-可见吸收光谱及红外光谱测试并研究了晶体中的缺陷结... 详细信息

为了探讨抗光损伤介质在近化学计量比铌酸锂晶体中的占位机制,采用顶部籽晶助熔剂方法（TSSG）生长了不同铟含量的近化学计量比铌酸锂（In：SLN）晶体,利用X射线衍射、差热分析,紫外-可见吸收光谱及红外光谱测试并研究了晶体中的缺陷结构变化规律。分析发现在近化学计量比铌酸锂晶体中,In2O3的阈值浓度介于1%~1.5%。缺陷结构研究表明,当In2O3掺杂量低于阈值浓度时,In^3＋离子优先取代NbLi^4＋,形成InLi^2＋离子;当In2O3掺杂浓度高于阈值浓度时,In^3＋离子开始同时占据正常的Li与Nb位,形成InLi^2＋-InNb^2-电荷自补偿结构。

关键词：铌酸锂晶体近化学计量比缺陷结构取代机理阈值铟

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磷锗锌晶体生长与缺陷结构

硅酸盐学报 2014年第8期42卷 1082-1086页

作者：雷作涛朱崇强宋梁成杨春晖谷立山哈尔滨工业大学化工学院哈尔滨150001 中国科学院长春光学机密机械与物理研究所长春130033

采用水平双温区法批量合成了高纯ZnGeP2多晶,并用垂直Bridgman法生长出直径为40～50mm的高品质单晶。采用密度泛函理论分析了ZnGeP2晶体中可能存在的点缺陷对其近红外波段透光性的影响,认为V-Zn和Zn0Ge缺陷的影响最大。利用X射线衍射形... 详细信息

采用水平双温区法批量合成了高纯ZnGeP2多晶,并用垂直Bridgman法生长出直径为40～50mm的高品质单晶。采用密度泛函理论分析了ZnGeP2晶体中可能存在的点缺陷对其近红外波段透光性的影响,认为V-Zn和Zn0Ge缺陷的影响最大。利用X射线衍射形貌术对晶体中存在的位错、层错、孪晶界、包裹体等微缺陷进行了分析,结果表明,温度场稳定性和固液生长界面形态是缺陷形成的主要因素。

关键词：磷锗锌晶体缺陷结构垂直Bridgman法吸收光谱