高可靠性晶体管发辉现象的机理分析与测试安全
Mechanism analysis and solution of testing safety of high reliable transistor sparkling phenomena作者机构：湘潭工学院信息与电气工程系湖南湘潭411201 兰州大学信息科学与工程学院甘肃兰州730000
出 版 物：《兰州大学学报（自然科学版）》 (Journal of Lanzhou University(Natural Sciences))
年 卷 期：2003年第39卷第1期
页 面：39-42页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：高可靠性晶体管 Vcbo击穿特性 发辉现象 安全工作区 物理机理 测试安全
摘 要：通过对高可靠性晶体管 Vcbo击穿特性发辉现象的失效问题的实验对比分析和物理机理的研究 ,找出了产生此现象的直接原因 ,进而通过对晶体管安全工作方面的实验和研究 ,提出解决发辉现象的措施和测试 Vcbo单结特性时应注意的问题 ,确保了产品的可靠性 .
维普期刊数据库
同方期刊数据库