GaAs光致发射极化电子源的原理及其在极化(e.2e)中的应用

作     者：李兴鳌 桑斌 肖渊 阮存军 庞文宁 尚仁成 

作者机构：湖北民族学院物理系湖北恩施445000 清华大学物理系极化物理实验室北京100084 

出 版 物：《湖北民族学院学报（自然科学版）》 (Journal of Hubei Minzu University(Natural Science Edition))

年 卷 期：2002年第20卷第3期

页      面：30-32页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金 ( 198740 3 7) 省教育厅重点项目 ( 2 0 0 1A0 80 10 ) 

主　　题：GaAs光致发射极化电子源 极化电子束 负电子亲和势 极化(e.2e) 砷化钙半导体 极化电子 碰撞电离 

摘      要：GaAs半导体光致发射极化电子源是 70年代末在国际上出现的一种新型极化电子源 .它采用GaAs半导体晶片作为光阴极 ,并在高真空环境下将碱金属铯及氧化剂镀到光阴极上 ,以获得负电子亲和势 (NegativeElectronAffinity)表面 ,然后通过用波长合适的圆偏振激光照射光阴极 ,来获得自旋极化的电子束 .详细讨论了GaAs半导体光致发射极化电子源的原理及实验过程 ,并介绍了极化电子在极化 (e ,2e)