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负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究

物理学报 2009年第8期58卷 5847-5851页

作者：乔建良田思常本康杜晓晴高频南京理工大学电子工程与光电技术学院南京210094 南阳理工学院电子与电气工程系南阳473004 重庆大学光电工程学院重庆400030

利用自行研制的光电阴极激活评估实验系统,给出了GaN光电阴极Cs激活及Cs/O激活的光电流曲线.针对GaN光电阴极的负电子亲和势(NEA)特性的成因,结合激活过程中光电流变化规律和成功激活后的阴极表面模型,研究了NEAGaN光电阴极激活机理.实... 详细信息

利用自行研制的光电阴极激活评估实验系统,给出了GaN光电阴极Cs激活及Cs/O激活的光电流曲线.针对GaN光电阴极的负电子亲和势(NEA)特性的成因,结合激活过程中光电流变化规律和成功激活后的阴极表面模型,研究了NEAGaN光电阴极激活机理.实验表明:GaN光电阴极在单独导入Cs激活时就可获得明显的NEA特性,Cs/O激活时引入O后光电流的增长幅度不大.用双偶极层模型[GaN(Mg):Cs]:O—Cs较好地解释了激活成功后GaN光电阴极NEA特性的成因.

关键词：负电子亲和势 GaN 激活光电流

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负电子亲和势GaN光电阴极的研究进展

物理学报 2011年第3期60卷 823-829页

作者：付小倩常本康李飙王晓晖乔建良南京理工大学电子工程与光电技术学院南京210094 济南大学信息科学与工程学院济南250022

GaN材料由于其优良的性能,成为紫外探测和真空电子源领域极具发展潜力的材料之一;目前制备的反射式GaN光电阴极的量子效率已达到70%以上,透射式也达到了30%.本文对GaN光电阴极的结构设计、表面清洗和Cs/O激活三大方面进行了综述,分析了... 详细信息

GaN材料由于其优良的性能,成为紫外探测和真空电子源领域极具发展潜力的材料之一;目前制备的反射式GaN光电阴极的量子效率已达到70%以上,透射式也达到了30%.本文对GaN光电阴极的结构设计、表面清洗和Cs/O激活三大方面进行了综述,分析了影响量子效率的关键因素,并对今后可能的发展方向进行了展望.

关键词： GaN光电阴极负电子亲和势量子效率进展

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负电子亲和势GaN光电阴极铯吸附机理研究

光子学报 2016年第4期45卷 76-81页

作者：乔建良徐源高有堂牛军常本康南阳理工学院电子与电气工程学院河南南阳473004 南京理工大学电子工程与光电技术学院南京210094

为了得到铯吸附与阴极电子亲和势变化之间的定量关系,利用NEA光电阴极激活评估实验系统对GaN光电阴极进行了铯激活.根据半导体光电发射理论和双偶极层模型,通过对电子亲和势随铯覆盖度变化的实验结果进行拟合运算,得到电子亲和势与铯覆... 详细信息

为了得到铯吸附与阴极电子亲和势变化之间的定量关系,利用NEA光电阴极激活评估实验系统对GaN光电阴极进行了铯激活.根据半导体光电发射理论和双偶极层模型,通过对电子亲和势随铯覆盖度变化的实验结果进行拟合运算,得到电子亲和势与铯覆盖度之间的函数关系式.分析了铯的吸附机理,得到激活过程中铯的吸附过程与GaN材料有效电子亲和势下降之间的关系.实验表明:负电子亲和势GaN光电阴极材料在铯激活时光电流随着铯覆盖度的增加而从本底值增为极大值,激活过程中GaN电子能量分布曲线低动能截止点的位置决定于铯的覆盖度.当铯的覆盖度从0、1/2、2/3到1个单层变化时,低动能截止点依次向左移动,当覆盖度从0增加到1个单层时,低动能截止点向左移动了约3eV的距离.研究表明,低动能截止点左移本质上是由于对电子逸出起促进作用的有效偶极子[GaN(Mg):Cs]数量的增多造成的,有效偶极子数量的增多带来了材料表面真空能级的下降.

关键词：半导体材料负电子亲和势双偶极层模型 GaN 光电阴极光电流铯吸附

负电子亲和势GaN光电阴极光谱响应特性研究

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物理学报 2010年第5期59卷 3577-3582页

作者：乔建良常本康钱芸生杜晓晴张益军高频王晓晖郭向阳牛军高有堂南京理工大学电子工程与光电技术学院南京210094 南阳理工学院电子与电气工程系南阳473004 重庆大学光电工程学院重庆400030

针对负电子亲和势(NEA)GaN光电阴极成功激活后的量子效率问题,利用自行研制的紫外光谱响应测试仪器,测试了成功激活的NEAGaN光电阴极的光谱响应,给出了230—400nm波段内反射模式NEAGaN光电阴极的量子效率曲线.测试结果表明:反射模式下NE... 详细信息

针对负电子亲和势(NEA)GaN光电阴极成功激活后的量子效率问题,利用自行研制的紫外光谱响应测试仪器,测试了成功激活的NEAGaN光电阴极的光谱响应,给出了230—400nm波段内反射模式NEAGaN光电阴极的量子效率曲线.测试结果表明:反射模式下NEAGaN光电阴极在230nm具有高达37.4%的量子效率,在GaN光电阴极阈值365nm处仍有3.75%的量子效率,230nm和400nm之间的抑制比率超过2个数量级.文中还结合国外的研究结果,综合分析了影响量子效率的因素.

关键词：负电子亲和势 GaN光电阴极光谱响应反射模式

反射式负电子亲和势GaN光电阴极量子效率衰减机理研究

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物理学报 2010年第4期59卷 2855-2859页

作者：乔建良常本康杜晓晴牛军邹继军南京理工大学电子工程与光电技术学院南京210094 南阳理工学院电子与电气工程系南阳473004 重庆大学光电工程学院重庆400030

针对反射式负电子亲和势(NEA)GaN光电阴极量子效率的衰减以及不同波段对应量子效率衰减速度的不同,参照国外给出的NEAGaN光电阴极在反射模式下量子效率曲线随时间的衰减变化情况,利用GaN光电阴极铯氧激活后的表面模型[GaN(Mg):Cs]:O-Cs... 详细信息

针对反射式负电子亲和势(NEA)GaN光电阴极量子效率的衰减以及不同波段对应量子效率衰减速度的不同,参照国外给出的NEAGaN光电阴极在反射模式下量子效率曲线随时间的衰减变化情况,利用GaN光电阴极铯氧激活后的表面模型[GaN(Mg):Cs]:O-Cs,结合量子效率衰减过程中表面势垒的变化,研究了反射式NEAGaN光电阴极量子效率的衰减机理.有效偶极子数量的减小是造成量子效率降低的根本原因,表面I,II势垒形状的变化造成了不同波段对应的量子效率下降速度的不同.

关键词：负电子亲和势 GaN光电阴极量子效率表面势垒

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负电子亲和势光电阴极评估技术研究

真空科学与技术 2001年第6期21卷 445-447,451页

作者：钱芸生宗志圆常本康南京理工大学电子工程与光电技术学院南京210094

阐述了负电子亲和势 (NEA)光电阴极的评估原理 ,用NEA光电阴极的量子产额理论曲线对测试获得的实验曲线进行拟合 ,可以获得光电阴极的表面逸出概率、载流子扩散长度和后界面复合速率等参数。介绍了NEA光电阴极激活和评估系统 ,利用该系... 详细信息

阐述了负电子亲和势 (NEA)光电阴极的评估原理 ,用NEA光电阴极的量子产额理论曲线对测试获得的实验曲线进行拟合 ,可以获得光电阴极的表面逸出概率、载流子扩散长度和后界面复合速率等参数。介绍了NEA光电阴极激活和评估系统 ,利用该系统对国产的反射式GaAs基片进行了激活和评估 ,文中给出并分析了测试结果。

关键词：负电子亲和势光电阴极量子产额表面逸出概率扩散长度性能评估

负电子亲和势Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体光电阴极及其发展

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半导体情报 1996年第6期33卷 17-22页

作者：马建一顾肇业申屠浩电子部第55研究所

阐明了负电子亲和势Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体光电阴极的卓越光电性能，论述了关于其物理机制的四种理论模型见解，介绍了阴极材料生长技术和制作工艺以及拓展的应用领域并展望了趋势和前景。

关键词：负电子亲和势光电阴极化合物半导体

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透射式负电子亲和势光电阴极基片的无损检测

华南理工大学学报（自然科学版） 1991年第4期19卷 29-37页

作者：姚惠贞宋国瑞董红兵华南理工大学无线电工程系

本文对用作透射式负电子亲和势光电阴极的Ⅲ—V族半导体基片的无损检测进行了研究。建立了一套带微机处理的高信噪比的激光荧光测试系统,测试了基片的发射层GaAs的掺杂浓度、过渡层Gal_(-x)Al_xAs的组分X值及沿表面X值的均匀性、高X值... 详细信息

本文对用作透射式负电子亲和势光电阴极的Ⅲ—V族半导体基片的无损检测进行了研究。建立了一套带微机处理的高信噪比的激光荧光测试系统,测试了基片的发射层GaAs的掺杂浓度、过渡层Gal_(-x)Al_xAs的组分X值及沿表面X值的均匀性、高X值的测量等。实验结果表明,激光荧光检测为Ⅲ—V族半导体材料的研究提供了一种快速的非破坏性的检测方法,对研究透射式负电子亲和势光电阴极具有重要意义。

关键词：光电阴极无损检测负电子亲和势

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负电子亲和势氮化镓光电阴极

光电子技术 2007年第2期27卷 73-77页

作者：李慧蕊申屠军戴丽英马建一中国电子科技集团公司第五十五研究所南京210016

负电子亲和势GaN光电阴极在紫外探测技术领域具有诱人的应用前景。本文在介绍和分析负电子亲和势GaN光电阴极的特点、工作原理及其能带结构的基础上,设计了GaN外延材料的结构和阴极制作工艺。指出负电子亲和势GaN光电阴极制备的关键在... 详细信息

负电子亲和势GaN光电阴极在紫外探测技术领域具有诱人的应用前景。本文在介绍和分析负电子亲和势GaN光电阴极的特点、工作原理及其能带结构的基础上,设计了GaN外延材料的结构和阴极制作工艺。指出负电子亲和势GaN光电阴极制备的关键在于材料的生长、与输入光窗的融焊、衬底的减薄及彻底的去气处理和超高真空状态下的铯、氧激活。

关键词：超高真空激活负电子亲和势 GaN光电阴极紫外敏感光电探测