γ射线辐照快速生长KDP晶体的性能

作     者：谢晓义 朱茂东 王斌 王虎 齐红基 邵建达 Xie Xiaoyi;Zhu Maodong;Wang Bin;Wang Hu;Qi Hongii;Shao Jianda

作者机构：中国科学院上海光学精密机械研究所强激光材料重点实验室薄膜光学实验室上海201800 中国科学院大学北京100049 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：2018年第45卷第10期

页      面：143-149页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

主　　题：材料 KDP晶体 连续过滤 射线辐照 激光损伤阈值 晶体改性 

摘      要：采用连续过滤快速横向生长技术,有效增大了磷酸二氢钾(KDP)晶体的Z向长度,提高了单位晶体II类元件的切片率。使用不同剂量的γ射线辐照II类晶体坯片后,测试其光学性能与抗激光损伤阈值。研究结果显示,不同剂量的γ射线辐照不会改变晶格内部的振动模式,但会降低912 cm^(-1)处的晶格振动强度;γ射线辐照诱导缺陷的种类不变,但随着辐照剂量的增大,缺陷浓度增大;晶体坯片的损伤阈值随着辐照剂量的增大而减小。