高纯钽板中晶粒生长的取向相关性研究

作     者：柳亚辉 刘施峰 范海洋 刘庆 LIU Ya-hui;LIU Shi-feng?;FAN Hai-yang;LIU Qing

作者机构：重庆大学材料科学与工程学院 

出 版 物：《电子显微学报》 (Journal of Chinese Electron Microscopy Society)

年 卷 期：2016年第35卷第1期

页      面：17-21页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家科技重大专项资金资助项目(No.2011ZX02705) 重庆市科委自然科学基金计划资助项目(No.2012jj A50023) 

主　　题：形核机制 电子背散射衍射(EBSD)技术 Extend Cahn-Hagel模型 生长速率 

摘      要：钽溅射靶材主要用于集成电路中导线的扩散阻挡层,其溅射性能受微观组织影响较大。本文采用电子背散射衍射(EBSD)技术,结合Extend Cahn-Hagel模型对周向轧制钽板的再结晶行为进行分析。并侧重于钽板再结晶初、中期与取向相关的晶粒生长速率的研究。结果表明,{111}〈uvw〉(〈111〉//ND)晶粒具有生长优势,初始阶段生长速率约为同期{001}〈uvw〉(〈100〉//ND)晶粒的1.6倍。