双多晶自对准NPN管的总剂量辐射效应研究

作     者：贾金成 陆妩 吴雪 张培健 孙静 王信 李小龙 刘默寒 郭旗 刘元 JIA Jincheng;LU Wu;WU Xue;ZHANG Peijian;SUN Jing;WANG Xin;LI Xiaolong;LIU Mohan;GUO Qi;LIU Yuan

作者机构：中国科学院新疆理化技术研究所特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049 模拟集成电路重点实验室重庆400060 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2018年第48卷第1期

页      面：120-125页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(0C09YJTJ1503) 国家自然科学基金联合基金资助项目(U1630141) 国家自然科学基金青年科学基金资助项目(11605283) 中科院西部之光基金资助项目(2016-QNXZ-B-7) 

主　　题：双多晶自动准 NPN管 ^60Co-γ辐射 辐射损伤 

摘      要：对国产先进互补双极工艺制作的双多晶自对准(DPSA)结构的NPN管进行了高、低剂量率的^(60)Co-γ源辐射实验。在总剂量辐射前后以及室温退火后,分别采用移位测试方法,研究了基极电流、集电极电流、电流增益等参数的变化规律。结果表明,DPSA NPN管比传统NPN管的抗辐射能力更强,但其低剂量率辐射损伤增强效应(ELDRS)改善不明显。最后,初步探讨了DPSA NPN管的辐射损伤机制,讨论了DPSA NPN管的抗ELDRS效应的机制。