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典型SiGe HBTs的总剂量辐射效应研究

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典型SiGe HBTs的总剂量辐射效应研究

作者：刘默寒新疆大学

学位级别：硕士

为了对比研究不同厂家不同SiGe HBTs器件的总剂量辐射损伤效应以及在不同偏置不同剂量率条件下SiGe HBTs器件的辐射响应规律和潜在的损伤机理,本文选取了四款不同的SiGe HBTs器件,设计了相关实验,利用60Coγ射线对其在不同偏置状态下进... 详细信息

为了对比研究不同厂家不同SiGe HBTs器件的总剂量辐射损伤效应以及在不同偏置不同剂量率条件下SiGe HBTs器件的辐射响应规律和潜在的损伤机理,本文选取了四款不同的SiGe HBTs器件,设计了相关实验,利用60Coγ射线对其在不同偏置状态下进行了高低剂量率分别为80rad(Si)/s和0.05rad(Si)/s,总累积剂量分别为1.1Mrad(Si)和1.0Mrad(Si)的电离总剂量辐照实验。实验结果表明,SiGe HBTs具有一定的抗总剂量辐照的性能,且基极电流和电流增益比集电极电流对辐射更敏感。在不同偏置条件辐射下,除了器件NESG260234外基本都表现为基射结反偏损伤最大,零偏次之,正偏最小,可以将基射结反偏作为SiGe HBTs器件的最劣辐照偏置,其潜在的损伤机理可由边缘电场模型来解释。不同剂量率辐照下KT1151器件只表现为时间相关效应,器件KT9041表现出了非常明显的低剂量率辐射损伤增强效应,NESG260234与BFP640ESD在现有的实验数据下剂量率效应不明显,不同的剂量率效应可以由空间电荷模型下高剂量率辐照损伤被抑制来进行解释说明。

关键词：锗硅异质结双极晶体管总剂量辐射效应偏置条件低剂量率辐射损伤增强效应时间相关效应

贝里尼歌剧《诺尔玛》中女主角唱段的分析与演绎

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贝里尼歌剧《诺尔玛》中女主角唱段的分析与演绎

作者：刘默寒西安音乐学院

学位级别：硕士

19世纪伟大的意大利作曲家贝里尼曾说过：“我宁肯舍弃一切，也要保住《诺尔玛》。”通过这句话我们可以深刻的体会到作曲家对这部作品的喜爱。而作为贝里尼的代表歌剧作品，《诺尔玛》的确是淋漓尽致的发挥了贝利尼创作特点。这是一部... 详细信息

19世纪伟大的意大利作曲家贝里尼曾说过：“我宁肯舍弃一切，也要保住《诺尔玛》。”通过这句话我们可以深刻的体会到作曲家对这部作品的喜爱。而作为贝里尼的代表歌剧作品，《诺尔玛》的确是淋漓尽致的发挥了贝利尼创作特点。这是一部以表现女主角为主的歌剧，因此对女主人公形象的刻画是整部歌剧的精髓，扮演诺尔玛的演员，必须极具艺术感染力。因此，本文就将对《诺尔玛》中女主角的唱段进行分析演绎。全文将会拟分为标题，摘要，关键词，引言，正文，结束语，参考文献和致谢这几个部分。其中主体会分为四个部分。第一部分引言，阐述选题的理由，意义和价值。第二部分是对作曲家贝里尼的生平及创作介绍。第三部分是对作品的文本分析以及对女主角诺尔玛的角色分析。第四部分是对歌剧中女主角唱段的演唱探究。

关键词：贝里尼歌剧诺尔玛音乐形象贞洁女神演唱探究

电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响

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物理学报 2015年第7期64卷 385-390页

作者：刘远陈海波何玉娟王信岳龙恩云飞刘默寒工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广州510610 中国电子科技集团公司第五十八研究所无锡214035 中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011

本文针对辐射前后部分耗尽结构绝缘体上硅(SOI)器件的电学特性与低频噪声特性开展试验研究.受辐射诱生埋氧化层固定电荷与界面态的影响,当辐射总剂量达到1 M rad(Si)(1 rad=10-2Gy)条件下,SOI器件背栅阈值电压从44.72 V减小至12.88 V、... 详细信息

本文针对辐射前后部分耗尽结构绝缘体上硅(SOI)器件的电学特性与低频噪声特性开展试验研究.受辐射诱生埋氧化层固定电荷与界面态的影响,当辐射总剂量达到1 M rad(Si)(1 rad=10-2Gy)条件下,SOI器件背栅阈值电压从44.72 V减小至12.88 V、表面电子有效迁移率从473.7 cm2/V·s降低至419.8 cm2/V·s、亚阈斜率从2.47 V/dec增加至3.93 V/dec;基于辐射前后亚阈斜率及阈值电压的变化,可提取得到辐射诱生界面态与氧化层固定电荷密度分别为5.33×1011cm-2与2.36×1012cm-2.受辐射在埋氧化层-硅界面处诱生边界陷阱、氧化层固定电荷与界面态的影响,辐射后埋氧化层-硅界面处电子被陷阱俘获/释放的行为加剧,造成SOI器件背栅平带电压噪声功率谱密度由7×10-10V2·Hz-1增加至1.8×10-9V2·Hz-1;基于载流子数随机涨落模型可提取得到辐射前后SOI器件埋氧化层界面附近缺陷态密度之和约为1.42×1017cm-3·eV-1和3.66×1017cm-3·eV-1.考虑隧穿削弱因子、隧穿距离与时间常数之间关系,本文计算得到辐射前后埋氧化层内陷阱电荷密度随空间分布的变化.

关键词：绝缘体上硅部分耗尽电离辐射低频噪声

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高校声乐教学中的情感培养路径探讨

艺术品鉴 2018年第4Z期 89-90页

作者：刘默寒西安体育学院

随着高等教育改革事业的不断深入发展,声乐教学的重要性日益突出。作为一门特殊的艺术表达方式,声乐课教师在平时的教学过程中除了要注重传授基本的理论知识和演唱技巧以外,还应适当地培养学生们的演唱情感。本文简单阐述了目前高校声... 详细信息

随着高等教育改革事业的不断深入发展,声乐教学的重要性日益突出。作为一门特殊的艺术表达方式,声乐课教师在平时的教学过程中除了要注重传授基本的理论知识和演唱技巧以外,还应适当地培养学生们的演唱情感。本文简单阐述了目前高校声乐教学中存在的主要问题,指出对学生进行情感培养的重要性,并进一步详细探讨了具体的教学路径,希望能够有效促进高校声乐专业教学质量水平的提升。

关键词：高校声乐专业情感培养教学策略路径探讨

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音乐表演视角下的中国声乐艺术探讨

参花(上) 2022年第8期 53-55页

作者：刘默寒西安体育学院

声乐作为人们耳熟能详、喜闻乐见的艺术形式，主要依托表演的方式来呈现美感，能够让观众情不自禁地沉醉于声乐作品所创设的音乐情境之中，挖掘声乐作品的艺术内涵，感知作品蕴涵的思想情感，并从歌词、旋律及节奏中获得美的享受。声乐...

声乐作为人们耳熟能详、喜闻乐见的艺术形式，主要依托表演的方式来呈现美感，能够让观众情不自禁地沉醉于声乐作品所创设的音乐情境之中，挖掘声乐作品的艺术内涵，感知作品蕴涵的思想情感，并从歌词、旋律及节奏中获得美的享受。声乐艺术表演的本质是演唱者根据自身的音乐知识功底、演唱技巧、情感阅历及表演经验等，对音乐作品进行二次创作的过程。其能够赋予音乐表演灵魂，使之符合观众的审美需求，展现出强烈的艺术表现力和感染力，

关键词：

偏置条件对NPN型锗硅异质结双极晶体管电离辐射效应的影响

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核技术 2015年第6期38卷 36-42页

作者：刘默寒陆妩马武英王信郭旗何承发姜柯新疆大学物理科学与技术学院乌鲁木齐830046 中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011

本文研究了不同偏置条件下国产商用NPN型锗硅异质结双极晶体管(Silicon germanium hetero-junction bipolar transistors,SiGe HBTs)在60Coγ辐射环境中电离辐照响应特性和变化规律。实验结果表明,在0.8 Gy(Si)·s-1剂量率辐照下,总累... 详细信息

本文研究了不同偏置条件下国产商用NPN型锗硅异质结双极晶体管(Silicon germanium hetero-junction bipolar transistors,SiGe HBTs)在60Coγ辐射环境中电离辐照响应特性和变化规律。实验结果表明,在0.8 Gy(Si)·s-1剂量率辐照下,总累积剂量达到1.1×104 Gy(Si)时,发射结反向偏置条件下60Coγ射线辐照对SiGe HBTs造成的损伤最大,零偏次之,正偏损伤最小;经过一定时间的退火后,零偏恢复程度最小,而正偏和反偏时的恢复趋势以及程度相同。分析了不同偏置状态下其电离辐照敏感参数随累积总剂量以及退火时间的变化关系,讨论了引起电参数失效的潜在机理。

关键词：锗硅异质结双极晶体管总剂量效应偏置条件退火

栅控横向PNP双极晶体管基极电流峰值展宽效应及电荷分离研究

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物理学报 2014年第11期63卷 218-223页

作者：马武英王志宽陆妩席善斌郭旗何承发王信刘默寒姜柯中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049 模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第24研究所重庆400060

为了对双极器件在电离辐射环境下的损伤机理及加固技术进行深入的研究,对设计制作的不同工艺类型的栅控横向PNP双极晶体管进行了60Co-γ低剂量率辐照试验.结果表明:1)栅控双极晶体管的辐射特性具有很强的工艺相关性,钝化层的存在对于双... 详细信息

为了对双极器件在电离辐射环境下的损伤机理及加固技术进行深入的研究,对设计制作的不同工艺类型的栅控横向PNP双极晶体管进行了60Co-γ低剂量率辐照试验.结果表明:1)栅控双极晶体管的辐射特性具有很强的工艺相关性,钝化层的存在对于双极晶体管的辐射响应具有很大影响,有钝化层的器件在电离辐射环境中会产生更多的界面态,其抗辐射能力大大减弱;2)针对国产栅控横向PNP晶体管在低剂量率辐照时会发生峰值电流展宽效应,文中对展宽效应潜在机理进行了分析,并针对展宽效应提出了新的分离方法.这不但对设计抗辐射加固器件提供了依据,而且为进一步深入研究双极器件的低剂量率辐射损伤增强效应提供了强有力工具.

关键词：栅控双极PNP晶体管 60Coγ辐照辐射损伤

偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响

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辐射研究与辐射工艺学报 2020年第5期38卷 60-66页

作者：王利斌王信吴雪李小龙刘默寒陆妩新疆大学物理科学与技术学院乌鲁木齐830046 中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 模拟集成电路重点实验室重庆400060

本文研究了1 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,偏置条件对国产0.35μm SiGe BiCMOS工艺器件电离总剂量(Total ionizing dose,TID)辐射效应的影响。结果表明:高剂量率辐照下,国产SiGe BiCMOS器件具有非常好的抗电离总剂量效应能力,可以达到数... 详细信息

本文研究了1 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,偏置条件对国产0.35μm SiGe BiCMOS工艺器件电离总剂量(Total ionizing dose,TID)辐射效应的影响。结果表明:高剂量率辐照下,国产SiGe BiCMOS器件具有非常好的抗电离总剂量效应能力,可以达到数十千戈瑞,基极电流对辐射更敏感。不同偏置条件下,器件TID累积到12 kGy(Si)时,反偏损伤最大,零偏次之,正偏增益退化最小。发现其主要机制是高剂量率辐射及外加偏置引入的边缘电场影响氧化层中诱导氧化物陷阱电荷和界面态产生,导致基极辐射敏感区增大,基极电流增大,从而使器件增益减小。

关键词： SiGe BiCMOS 偏置条件电离总剂量氧化物陷阱电荷界面态

双极运算放大器LM158电离总剂量与重离子协同辐射效应研究

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核技术 2021年第5期44卷 62-68页

作者：蔡娇姚帅陆妩于新王信李小龙刘默寒孙静郭旗新疆大学物理科学与技术学院乌鲁木齐830046 中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

为研究双极运算放大器电离总剂量与单粒子瞬态的协同效应,选取双极运算放大器LM158分别在高剂量率0.1 Gy·s^(-1)(Si)和低剂量率1×10^(−4) Gy·s^(-1)(Si)条件下进行^(60)Coγ射线辐照试验,累积电离总剂量至1000 Gy(Si)后,再进行重离... 详细信息

为研究双极运算放大器电离总剂量与单粒子瞬态的协同效应,选取双极运算放大器LM158分别在高剂量率0.1 Gy·s^(-1)(Si)和低剂量率1×10^(−4) Gy·s^(-1)(Si)条件下进行^(60)Coγ射线辐照试验,累积电离总剂量至1000 Gy(Si)后,再进行重离子类型为钽(Ta)离子的协同辐照试验。试验结果表明:电离总剂量会导致运算放大器LM158的单粒子瞬态脉冲幅值减小和脉冲展宽,同时,相比于高剂量率辐照条件,低剂量率辐照条件下双极运算放大器LM158的瞬态脉冲宽度展宽50%。研究发现,电离总剂量在双极晶体管中累积的界面陷阱电荷是产生电离总剂量与单粒子瞬态协同效应的根本原因。

关键词：双极运算放大器电离总剂量单粒子瞬态协同效应