全压接式高压四端双向晶闸管器件研制
Development of Free-floating High Voltage Four-terminal Bidirectional Thyristor Device作者机构：株洲中车时代电气股份有限公司湖南株洲412001
出 版 物：《大功率变流技术》 (HIGH POWER CONVERTER TECHNOLOGY)
年 卷 期：2017年第6期
页 面：42-47页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：普通晶闸管反并联结构广泛应用于高压软启动装置、电气驱动装置和静态无功功率补偿装置中,但对体积和重量要求较高的应用场合并不适用。文章针对晶闸管反并联应用需求,依托TCAD半导体芯片设计仿真平台,对双向晶闸管芯片结构和器件封装结构开展仿真分析,通过提高短基区浓度、优化设计短路点并采用PNP横向隔离结构,提升了芯片抗干扰能力,成功研制出全压接式高压四端双向晶闸管,简化了反并联组件结构,降低了组件的体积、重量和成本。
维普期刊数据库
同方期刊数据库