n型单晶硅衬底少子寿命对n-PERC电池性能的影响
EFFECT OF MINORITY CARRIER LIFETIME ON n-TYPE MONOCRYSTALLINE SILICON CELLS作者机构：河北工业大学信息功能材料研究所天津300130
出 版 物：《太阳能学报》 (Acta Energiae Solaris Sinica)
年 卷 期：2017年第38卷第11期
页 面：2958-2963页
核心收录：
学科分类：08[工学] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
主 题：n型单晶硅 PC1D模拟 n-PERC电池模型 少子寿命
摘 要：采用PC1D模拟软件模拟不同少子寿命的硅片条件下电阻率、扩散方块电阻、结深对n-PERC电池性能的影响。结果表明,随着硅片少子寿命的延长,电池效率提高。通过对实际生产中少子寿命和硅片径向不均匀度的研究,得出n-PERC电池使用硅片的最佳少子寿命值。
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