检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

多晶硅太阳电池少子寿命的数值模拟

太阳能学报 2011年第9期32卷 1403-1407页

作者：张妹玉陈朝闽江学院物理学与电子信息工程系福州350108 厦门大学物理系厦门361005 厦门大学能源学院厦门361005

主要引入载流子的有效迁移率和有效扩散长度两个物理量,对多晶硅的少子寿命进行数值模拟。在此基础上建立了多晶硅太阳电池的一维物理模型,采用数值模拟方法对其在AM1.5太阳光入射下的电池输出特性J_(SC)、V_(OC)、FF和η进行模拟计算,... 详细信息

主要引入载流子的有效迁移率和有效扩散长度两个物理量,对多晶硅的少子寿命进行数值模拟。在此基础上建立了多晶硅太阳电池的一维物理模型,采用数值模拟方法对其在AM1.5太阳光入射下的电池输出特性J_(SC)、V_(OC)、FF和η进行模拟计算,着重分析了晶粒尺寸和基区少子寿命对多晶硅太阳电池性能的影响。模拟结果表明,晶粒尺寸和少子寿命是影响多晶硅太阳电池性能的两个关键因素。当少子寿命较低时,晶粒尺寸对电池效率的影响不大,此时电池效率的提高受限于少子寿命;当少子寿命增大时,电池效率随晶粒尺寸的增大显著提高。同时,从模拟结果可得到电池效率与少子寿命和晶粒尺寸之间的定量关系。

关键词：多晶硅太阳电池少子寿命晶粒尺寸数值模拟

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

多晶硅锭高氧浓度与少子寿命的研究

太阳能学报 2018年第3期39卷 758-762页

作者：钟德京邱家梁邹军周浪胡动力江西赛维LDK太阳能高科技有限公司新余338032 南昌大学光伏研究院南昌330031

在多晶硅定向凝固高少子、低氧区域通入含氧气体，研究氧浓度对多晶硅锭少子寿命的影响程度。研究结果表明，当间隙氧浓度低于4．5×1017cm-3时，对于铸造多晶硅少子寿命的影响非常小；当间隙氧浓度为4．5×1017～7．0×1017cm-3时，降... 详细信息

在多晶硅定向凝固高少子、低氧区域通入含氧气体，研究氧浓度对多晶硅锭少子寿命的影响程度。研究结果表明，当间隙氧浓度低于4．5×1017cm-3时，对于铸造多晶硅少子寿命的影响非常小；当间隙氧浓度为4．5×1017～7．0×1017cm-3时，降低平均少子寿命0．50μs；当间隙氧浓度高于7．0×1017cm-3时，硅锭少子寿命受到极大影响，平均少子寿命降低到1．50μs，形成红区。因此，只有当铸造多晶硅尾部间隙氧浓度达到7．0×1017cm-3时，才可能形成尾部红区。

关键词：多晶硅锭铸锭红区少子寿命间隙氧

晶硅太阳电池中Fe-B对与少子寿命、陷阱浓度及内量子效率的相关性

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2010年第6期59卷 4322-4329页

作者：李凤马忠权孟夏杰殷晏庭于征汕吕鹏上海大学物理系上海200444 上海索朗太阳能科技有限公司上海200120

以太阳电池级直拉单晶硅片为材料,利用瞬态微波反射光电导衰减仪研究了硅片分别经过单、双面扩散后Fe-B对与少子寿命τ、陷阱浓度及制备成电池的内量子效率(IQE)的相关性.对于单面扩散后的样品,Fe-B对浓度分布在较大程度上决定了少子寿... 详细信息

以太阳电池级直拉单晶硅片为材料,利用瞬态微波反射光电导衰减仪研究了硅片分别经过单、双面扩散后Fe-B对与少子寿命τ、陷阱浓度及制备成电池的内量子效率(IQE)的相关性.对于单面扩散后的样品,Fe-B对浓度分布在较大程度上决定了少子寿命分布;对于双面扩散后的样品,Fe-B对浓度显著降低(在1.35×1011cm-3左右),已不及其他杂质和缺陷对少子寿命的影响.结合瞬态微波衰减信号和陷阱模型,对单、双面吸杂前后硅片的陷阱浓度进行数值计算,发现经过扩散吸杂后硅片的陷阱浓度显著减少.对经过单面扩散后的硅片进行取点分析,发现Fe-B对浓度与陷阱浓度的相关性较差,即Fe-B对不是影响陷阱浓度变化的主要因素.将分别经过单面和双面扩散的硅片制备成太阳电池,利用光生诱导电流测量了电池的IQE.分析发现,经过双面扩散制备的电池的IQE比经过单面扩散制备的电池的IQE高,且IQE分布较单面扩散制备的电池更均匀,说明Fe-B对的浓度分布显著影响IQE的分布.

关键词：少子寿命陷阱浓度内量子效率 Fe-B对

电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池少子寿命的变化

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

原子能科学技术 2018年第8期52卷 1507-1511页

作者：吴锐王君玲凌云龙王荣北京师范大学射线束与材料改性教育部重点实验室北京100875 北京师范大学核科学与技术学院北京100875

为研究电子辐照空间太阳电池的损伤机制,对电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池进行了光致发光谱测量,分析了GaInP顶电池及GaAs中间电池发光强度随电子注量的变化规律。利用辐射效率关系对归一化发光强度随电子辐照注量的变化进行了拟合... 详细信息

为研究电子辐照空间太阳电池的损伤机制,对电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池进行了光致发光谱测量,分析了GaInP顶电池及GaAs中间电池发光强度随电子注量的变化规律。利用辐射效率关系对归一化发光强度随电子辐照注量的变化进行了拟合,分别得到了GaInP顶电池及GaAs中间电池在不同辐照条件下的少子非辐射复合寿命τnr,通过对比辐照前后少子非辐射复合寿命的衰降变化,发现GaInP顶电池的抗辐照性能优于GaAs中间电池。

关键词：电子辐照 GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池光致发光少子寿命

利用电致发光技术快速测定晶硅太阳电池少子寿命

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

太阳能学报 2014年第3期35卷 487-491页

作者：刘霄沈文忠王振上海交通大学太阳能研究所上海200240 上海欧普泰科技创业有限公司上海200333

结合理论分析,讨论太阳电池电致发光的影响因素,提出利用电致发光技术来测定晶硅太阳电池的少子寿命。在完成测试定标后,对比目前普遍使用的微波光电导衰退法,对电致发光法测定单晶和多晶硅少子寿命进行实验验证。结果表明,电致发光测... 详细信息

结合理论分析,讨论太阳电池电致发光的影响因素,提出利用电致发光技术来测定晶硅太阳电池的少子寿命。在完成测试定标后,对比目前普遍使用的微波光电导衰退法,对电致发光法测定单晶和多晶硅少子寿命进行实验验证。结果表明,电致发光测试方法能快速、稳定、准确地测定晶硅太阳电池的少子寿命。

关键词：晶硅太阳电池电致发光少子寿命

热处理对掺镓直拉单晶硅中缺陷及少子寿命的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

稀有金属 2016年第6期40卷 626-632页

作者：丰云恺李宁任丽任丙彦河北工业大学化工学院天津300130 河北工业大学材料科学与工程学院天津300130

抑制p型单晶硅太阳能电池的光致衰减现象是光伏科技领域的热点和难点。掺镓直拉硅单晶工艺的突破以及在晶硅电池上的应用破解了这一难题,成功地抑制光致衰减。因为镓原子与硼原子共价半径的差异以及在太阳能电池制备过程中单晶硅片仍会... 详细信息

抑制p型单晶硅太阳能电池的光致衰减现象是光伏科技领域的热点和难点。掺镓直拉硅单晶工艺的突破以及在晶硅电池上的应用破解了这一难题,成功地抑制光致衰减。因为镓原子与硼原子共价半径的差异以及在太阳能电池制备过程中单晶硅片仍会经历不同条件的热处理,所以探究不同热处理条件对掺镓单晶硅中缺陷以及少子寿命的影响是非常有必要的。本文使用专利工艺技术制备掺镓硅单晶,并对掺硼和掺镓两种不同单晶硅片进行不同温度和时间的退火实验,对比分析不同样品的氧含量和少子寿命。结果发现:退火温度的升高、时间的延长以及预热处理都会降低两种硅片中的间隙氧含量以及少子寿命,同时促进了两组硅片中氧沉淀的形成。通过两组不同硅片对比表明,在相同条件下的退火处理,原子半径差异导致掺镓硅单晶硅的间隙氧含量下降速度更快,易形成更多的氧沉淀。

关键词：太阳电池光衰减少子寿命退火

n型单晶硅衬底少子寿命对n-PERC电池性能的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

太阳能学报 2017年第11期38卷 2958-2963页

作者：刘金颖李宁任丙彦刘彩池河北工业大学信息功能材料研究所天津300130

采用PC1D模拟软件模拟不同少子寿命的硅片条件下电阻率、扩散方块电阻、结深对n-PERC电池性能的影响。结果表明,随着硅片少子寿命的延长,电池效率提高。通过对实际生产中少子寿命和硅片径向不均匀度的研究,得出n-PERC电池使用硅片的最... 详细信息

采用PC1D模拟软件模拟不同少子寿命的硅片条件下电阻率、扩散方块电阻、结深对n-PERC电池性能的影响。结果表明,随着硅片少子寿命的延长,电池效率提高。通过对实际生产中少子寿命和硅片径向不均匀度的研究,得出n-PERC电池使用硅片的最佳少子寿命值。

关键词： n型单晶硅 PC1D模拟 n-PERC电池模型少子寿命

分子束外延P型Hg_(1-x)Cd_xTe少子寿命的研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

人工晶体学报 2007年第2期36卷 385-389页

作者：魏青竹吴俊巫艳陈路于梅芳傅祥良乔怡敏王伟强何力中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心上海200083 中国科学院研究生院北京100039

本文利用μ-PCD载流子寿命测量系统,对采用MBE方法生长的Hg空位型中波HgCdTe P型材料和原位As掺杂激活中波P型材料的少子寿命进行了测量,并对材料的少子寿命与温度、载流子浓度的依赖关系进行了研究。结果发现,Hg空位型HgCdTe材料,在非... 详细信息

本文利用μ-PCD载流子寿命测量系统,对采用MBE方法生长的Hg空位型中波HgCdTe P型材料和原位As掺杂激活中波P型材料的少子寿命进行了测量,并对材料的少子寿命与温度、载流子浓度的依赖关系进行了研究。结果发现,Hg空位型HgCdTe材料,在非本征区范围内,SRH再结合机制起主要作用;在本征区域,Auger再结合和Radiative再结合机制起主要作用。通过拟和得到,低温下作为SRH再结合中心的汞空位能级位置在离价带顶30meV处,有着类受主的性质,起库仑吸引作用,限制了材料的少子寿命。As掺杂P型材料的少子寿命与同载流子浓度Hg空位为主的P型材料少子寿命相比,大了一个数量级。这就决定了As掺杂P型材料制成的红外探测器件比Hg空位P型材料的探测率高,因此这种材料更适合做多色红外焦平面列阵探测器。

关键词： HgCdTe P型材料 As掺杂 μ-PCD 少子寿命

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

多孔硅对单晶硅少子寿命影响状况的研究

功能材料 2012年第3期43卷 353-356页

作者：李佳艳郭素霞徐强解希玲胡跟兄谭毅大连理工大学辽宁省太阳能光伏系统重点实验室辽宁大连116024 大连理工大学材料科学与工程学院辽宁大连116024 大连理工大学化工学院辽宁大连116024

以p型单晶硅片为研究对象,在单晶硅片表面采用化学腐蚀方法制备多孔硅层,通过实验选取制备多孔硅的最佳工艺条件,采用SEM观察多孔硅表面形貌,以及用微波光电导法测试少子寿命的变化情况。结果表明,在相同的腐蚀溶液配比条件下腐蚀11min... 详细信息

以p型单晶硅片为研究对象,在单晶硅片表面采用化学腐蚀方法制备多孔硅层,通过实验选取制备多孔硅的最佳工艺条件,采用SEM观察多孔硅表面形貌,以及用微波光电导法测试少子寿命的变化情况。结果表明,在相同的腐蚀溶液配比条件下腐蚀11min得到的多孔硅层的表面形貌最好,孔隙率最大。在850℃下热处理150min时样品少子寿命的提高达到最大,不同腐蚀时间的样品少子寿命提高程度不同,腐蚀11min的样品少子寿命提高最大,约有10%左右。多孔层的形成伴随着弹性机械应力的出现,引起多孔层-硅基底界面处产生弹性变形,这有利于缺陷和金属杂质在界面处富集。另外,多孔硅仍具有晶体结构,但其表面方向上的晶格参数要比初始硅的晶格参数大,也有利于金属杂质向多孔层迁移。

关键词：多孔硅单晶硅化学腐蚀少子寿命