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表层氮化硅掺氧对单银高透Low-E性能的改善

Performance Improvement of Single-layer-silver Low-E by Oxygen Doping in Surface Si_3N_4 Layer

作     者:贾绍辉 张淮凌 孙徐兴 刘涌 韩高荣 

作者机构:威海蓝星玻璃股份有限公司山东威海264211 浙江大学材料科学与工程系硅材料国家重点实验室浙江杭州310027 

出 版 物:《材料科学与工程学报》 (Journal of Materials Science and Engineering)

年 卷 期:2013年第31卷第6期

页      面:799-802,818页

核心收录:

学科分类:08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

基  金:国家"十二五"科技支撑计划资助项目(2011BAE14B02) 

主  题:Low—E 氮化硅 氧掺杂 

摘      要:低辐射玻璃要求具有低的辐射率和高的可见光透射比。目前较为常见的单银高透Low-E产品具有优良的采光和隔热性能,但是膜层机械性能普遍较差,对于玻璃深加工厂的加工设备要求高。通过对单银高透Low-E表面覆层Si3N4薄膜进行特定比例的掺氧处理,形成Si3Nx Oy层,改变了膜层表面的特性,增强了其加工的机械性和稳定性,显著提升了单银高透Low-E产品的可加工性。表层改性对于提升单银高透Low-E产品性能,推进其在节能建筑领域的广泛应用具有重要意义。

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