InGaN基LED中极化效应对发光特性的影响

作     者：刘亚莹 蒋府龙 刘梦涵 方华杰 高鹏 陈鹏 施毅 张荣 郑有炓 Liu Yaying Jiang Fulong Liu Menghan Fang Huajie Gao Peng Chen Peng Shi Yi Zhang Rong Zheng Youdou

作者机构：南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室南京210093 南京大学扬州光电研究院江苏扬州225009 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2017年第54卷第8期

页      面：509-513页

学科分类：08[工学] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400100 2016YFB0400602 2016YFB0400402) 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA032605 2015AA033305) 国家自然科学基金资助项目(61274003 61422401 51461135002 61334009) 江苏省自然科学基金资助项目(BY2013077 BK20141320 BE2015111) 

主　　题：InGaN 电致发光 峰位 相对外量子效率 极化效应 俄歇复合 

摘      要：主要利用电致发光的实验手段,研究了极化效应对InGaN基LED器件发光特性的影响。实验中发现,InGaN基LED器件的峰位随注入电流的增加产生了先蓝移后红移的现象,蓝光和绿光LED分别蓝移3 nm和8 nm;而AlGaInP基红光LED器件的峰位仅红移。进一步研究发现,InGaN基LED的外量子效率在注入电流为50 mA处开始剧烈下降,AlGaInP基LED的外量子效率在100 mA处才开始缓慢下降,并且两者呈现不同的下降规律。通过与模拟结果对比发现,InGaN基LED的效率在下降开始阶段与俄歇复合引起的效率下降规律类似。以上实验结果表明,InGaN基LED器件中存在极化电场,且该极化电场会对LED器件的效率衰减产生促进作用。