PLZST陶瓷衬底上La0.7Sr0.3MnO3薄膜生长及其磁性能和电输运特性研究

作     者：肖玲 陈莹 刘振 王根水 温志渝 董显林 XIAO Ling CHEN Ying LIU Zhen WANG Gen-Shui WEN Zhi-Yu DONG Xian-Lin

作者机构：中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料与器件重点实验室上海200050 重庆大学微系统中心重庆400044 

出 版 物：《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)

年 卷 期：2017年第32卷第3期

页      面：326-330页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：National Natural Science Foundation of China(51302295,61371059) Natural Science Foundation of Shanghai(13ZR1445600) Visiting Scholar Foundation of Key Discipline Laboratory of New Micro/Nano Device and System Technology in Chongqing University(2014MS05) 

主　　题：LSMO薄膜 PLZST陶瓷 磁电阻 扩散 

摘      要：采用磁控溅射法在PLZST陶瓷衬底上制备了不同厚度的LSMO薄膜,并对其微结构、磁性能及电输运特性进行了研究。结果表明,LSMO薄膜具有单一钙钛矿结构,晶粒均匀,表面平整,其中20 nm厚LSMO薄膜粗糙度仅为2.93 nm。在10~300 K温度范围内,LSMO薄膜均具有大的磁电阻效应,20 nm厚的LSMO薄膜磁电阻温度稳定性优异。随着薄膜厚度的增加,薄膜的居里温度、金属绝缘体转变温度、磁化强度和导电性能降低。这可能是由于Pb、Sn、Zr等离子扩散进入LSMO薄膜中,导致MnO 6八面体畸变造成的。