X射线双晶衍射技术
作者机构:中国科学院上海冶金研究所
出 版 物:《物理》 (Physics)
年 卷 期:1988年第1期
页 面:42-44页
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学]
摘 要:一、双晶衍射仪的原理 当一束入射X射线射入第一晶体A后,从A晶体出来的衍射线,又作为第二晶体B的入射线,从B晶体出来的衍射线用计数管或底片接收进行分析.双晶衍射仪中两个晶体通常处于(n,-n)平行衍射位置.仪罩工作时,第二晶体的转角θ稍微转动,用来记录它的摆动曲线(积分曲线),以测量试样表面层的微量应变或点阵常数的微小变化. 二、仪器的理论精度 分析了***[1]设计的多用途双晶X射线测角仪,就可绘出双晶衍射仪的衍射几何. 测量双晶衍射仪精度的方法,是用铜Ka1辐射作硅(111)面的摆动曲线,测量半峰高宽度(简称半峰宽),再和理论计算值进行比较.根据文献[2,3],对于完整单晶体,半峰宽β为式中N是单位体积(1cm~3)内晶胞数,λ是所用X射线波长,θ是布喇格角,F是结构因子,K是偏振因子,e为电子电荷,m为电子静止质量,c为光速,这里均采用C.G.S,单位制的量纲.硅晶体的点阵常数 a=5.4304X!0cm,V=a‘,N=i, V铜凡的波长又。I.N05X10-‘Cm,布喇格角B一14.221“.IFI一卜叫一丫32is;(1.;一10.8).电矢量垂直于人射平面,K—1. o‘ — —一2....