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铝在硅中的固溶度

中南矿冶学院学报 1990年第2期21卷 198-203页

作者：王蔚国谭淞生中南工业大学中国科学院上海冶金研究所

本工作通过对过去测定铝在硅中的固溶度的部分文章和数据较详细的分析,采用液相外延方法在温度区域700℃到1000℃之间,测得固溶度界于4×10^(18)～1.5×10^(19)atoms/cm^3,计算出相应的分凝系数,推得硅熔点1415℃的分凝系数为1.8×10^(-... 详细信息

本工作通过对过去测定铝在硅中的固溶度的部分文章和数据较详细的分析,采用液相外延方法在温度区域700℃到1000℃之间,测得固溶度界于4×10^(18)～1.5×10^(19)atoms/cm^3,计算出相应的分凝系数,推得硅熔点1415℃的分凝系数为1.8×10^(-3),微分溶解热0.6eV。

关键词：铝硅固溶度铝硅合金相图

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静电封接过程与机理研究

Journal of Semiconductors 1992年第8期13卷 507-510,T001页

作者：罗鸣赵新安张熙谭淞生王渭源中国科学院上海冶金研究所

木文主要通过观察加热的硅-玻璃系统在静电场下的电流-时间(I-t)曲线。及其与封接状态的对应关系,用耗尽层和电场力的概念描述了封接的物理过程,讨论了表面状况对封接的影响,建立了表面粗糙程度与封接电压、材料刚度等参数的制约关系式... 详细信息

木文主要通过观察加热的硅-玻璃系统在静电场下的电流-时间(I-t)曲线。及其与封接状态的对应关系,用耗尽层和电场力的概念描述了封接的物理过程,讨论了表面状况对封接的影响,建立了表面粗糙程度与封接电压、材料刚度等参数的制约关系式,给出了可靠封接的余件和完成封接的I-t曲线判据.

关键词：静电封接法硅片玻璃物理过程

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感应电悬浮的稳定平衡研究

科学通报 1995年第13期40卷 1237-1240页

作者：何国鸿陈抗生谭淞生王渭源浙江大学信息与电子工程学系杭州310008 中国科学院上海冶金研究所传感技术国家实验室上海200050

在同样的结构尺寸情况下,要得到与磁悬浮一样大小的作用力,电悬浮需要非常大的电场梯度,这个值往往达到甚至超过空气的击穿强度.因此,在宏观机械中一般很少看到电悬浮的应用.随着微机械技术的发展,构件尺寸减小,电悬浮便有了潜在的应用... 详细信息

在同样的结构尺寸情况下,要得到与磁悬浮一样大小的作用力,电悬浮需要非常大的电场梯度,这个值往往达到甚至超过空气的击穿强度.因此,在宏观机械中一般很少看到电悬浮的应用.随着微机械技术的发展,构件尺寸减小,电悬浮便有了潜在的应用价值,并被认为可用来克服微机械运动部件的摩擦和磨损.近年来国内外均有人相继对它开展研究.在各种悬浮机制中,感应悬浮结构简单,不必具备位置反馈控制器,仅仅通过电路设计。

关键词：感应电悬浮稳定平衡

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传感器温度特性自动测试系统

仪表技术与传感器 1993年第1期 24-26页

作者：王善鹤赵新安张熙谭淞生复旦大学电子工程系中科院上海冶金研究所

利用准静态温度测量方法成功地研制了一套传感器温度特性自动测试系统。升、降温速率可在0.1～1℃/min范围内选择,用计算机对特性量进行快速测量,直接给出性能随温度变化的准连续曲线。本系统可同时对16只元件进行测量,测量精度为0.2‰... 详细信息

利用准静态温度测量方法成功地研制了一套传感器温度特性自动测试系统。升、降温速率可在0.1～1℃/min范围内选择,用计算机对特性量进行快速测量,直接给出性能随温度变化的准连续曲线。本系统可同时对16只元件进行测量,测量精度为0.2‰以上。本文介绍了该系统的硬件结构和测试软件框图,并给出了本系统测量精度的实验结果。

关键词：温度特性开关传感器测试系统

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重掺砷衬底氧本征吸杂能力的探讨

应用科学学报 1989年第2期7卷 179-181页

作者：谭淞生朱德光王自筠中国科学院上海冶金研究所

虽则集成电路级单晶衬底的氧本征吸杂工艺已作过广泛的探讨,重掺衬底的氧本征吸杂研究还仅是近年来才开始的.与体材料相比,采用P/P^+和n/n^+外延材料加工MOS电路有很多优点.自从得克萨斯仪器公司在81年首先成功地在工业上采用硅外延片加... 详细信息

虽则集成电路级单晶衬底的氧本征吸杂工艺已作过广泛的探讨,重掺衬底的氧本征吸杂研究还仅是近年来才开始的.与体材料相比,采用P/P^+和n/n^+外延材料加工MOS电路有很多优点.自从得克萨斯仪器公司在81年首先成功地在工业上采用硅外延片加工64k RAM以来,MOS电路的衬底已开始从体单晶向外延片的过渡.同时,也激发了研究重掺衬底氧本征吸杂(IG)工艺的兴趣.本实验室通过对重掺砷衬底氧本征吸杂工艺的摸索,体内缺陷的观察,外延层上MOS C-t寿命以及二极管反向特性曲线的测定,以探讨高掺杂情况下,衬底硅材料的本征吸杂能力.

关键词：重掺砷衬底氧本征吸杂

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亚毫米多晶硅微齿轮的初步研制

传感技术学报 1992年第3期5卷 40-43页

作者：苏毅赵新安谭淞生王渭源中科院上海冶金所

自1989年美国加里弗尼亚大学报导采用IC技术首次成功地制作了微型静电电动机(转子直径为60μm和120μm)之后,以硅材料为主的微机械加工技术得到了世界各国科学家的高度重视和大力发展.微齿轮是微电动机的主要构件,通过它的研制。

关键词：齿轮亚毫米多晶硅

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GD硼掺杂微量晶硅薄膜的压阻特性

科技通讯（上海船厂） 1989年第1期 22-26,6页

作者：郭述文谭淞生

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微晶,多晶硅压力传感器的温度特性

科技通讯（上海船厂） 1990年第1期 12-16页

作者：郭述文谭淞生

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测试温度对硅少子产生寿命的影响

半导体技术 1988年第6期 52-55页

作者：朱建生谭淞生中国科学院上海冶金研究所

在硅集成电路工艺中可采用吸杂工艺来改善器件性能,而应用MOSC-t方法测试的少子产生寿命是反映吸杂工艺效果的重要参数,因此,准确地测定该项参数具有十分重要的意义.实验表明,测试温度对少子产生寿命影响甚大.为此,有的实验室规定在某... 详细信息

在硅集成电路工艺中可采用吸杂工艺来改善器件性能,而应用MOSC-t方法测试的少子产生寿命是反映吸杂工艺效果的重要参数,因此,准确地测定该项参数具有十分重要的意义.实验表明,测试温度对少子产生寿命影响甚大.为此,有的实验室规定在某一温度下测试,有的仅以c-t曲线的弛豫时间作为相对度量.不言而喻,这些做法都存在一定的缺点.本文经过对测试过程的深入分析,认定测试温度对少子产生寿命的影响来源于温度对硅中本征载流子浓度的影响.通过对不同少子产生寿命样品的测试,验证了上述分析的正确性.

关键词：弛豫时间少子载流子浓度载流子密度