硅耗尽层少子产生率的强电场效应
Effect of High Electric Field on Minority Carrier Generation in Silicon Depletion Layer作者机构：清华大学微电子学研究所
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报(英文版))
年 卷 期：1985年第1期
页 面：1-10页
学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：电场效应 实验结果 产生率 电场增强 耗尽层 exp 拟合 数学分析 耗尽区 临界值 少子 电场强度
摘 要：利用MOS C(t)特性系统地研究了强电场对硅耗尽层少子产生的影响.以Ieda等关于库仑中心电子发射率与电场强度的理论关系为基础,提出了一种对实验结果进行拟合的模型.该模型不仅满意地拟合了本工作的实验,而且合理地阐明了迄今文献中已发表的各种形式的非线性Zerbst实验曲线.结论是,产生率的强电场增强是硅中一个普遍效应,不论是对于高缺陷密度样品还是完整晶体样品,这一效应都是存在的.与深耗尽高频C(V)曲线的转折相对应,观察到了等效产生速度的跳变(突然增大).这一现象可用栅下高浓度区价带电子向耗尽区的隧道注入加以说明.
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