检索结果-南通市图书馆

传感器与微系统 1987年第Z1期 31-32页

作者：尹长松徐一忠静恩军张烽生武汉大学物理系

当前出现的结型光探测器,其结构为传统的平面p-n结。在这种表面杂质扩散层中掺掺浓度较高,光生少子寿命较低。这对于表面

关键词：光探测器耗尽区

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非规则半导体器件耗尽区的两维分析

电子器件 1987年第3期 14-16页

作者：何野魏同立

本文提出了应用复变函数的概念,对非规则半导体器件耗尽区进行适当变换,得到了研究非规则反偏pn结区的两维问题的新方法,并应用了自洽的耗尽区逻辑判别,计算了一种实际器件结构,得到了可行的结论.本文为非规则半导体pn结区的两维模拟提... 详细信息

本文提出了应用复变函数的概念,对非规则半导体器件耗尽区进行适当变换,得到了研究非规则反偏pn结区的两维问题的新方法,并应用了自洽的耗尽区逻辑判别,计算了一种实际器件结构,得到了可行的结论.本文为非规则半导体pn结区的两维模拟提供了一种新的途径.

关键词：半导体器件两维分析电子设备耗尽区反偏电压实际器件非规则电位分布

强光照射下的InGaAs二极管内部光生载流子分析(英文)

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光子学报 2014年第6期43卷 138-142页

作者：胡伟豆贤安孙晓泉脉冲功率激光技术国家重点实验室电子工程学院合肥230037

以InGaAs p-i-n管为例,研究了光电二极管在激光脉冲作用下非线性响应的内部机理特征,计算分析了二极管在强光辐照下内部空间电荷屏蔽效应对器件光电响应特性产生的影响.通过计算耗尽区的电场强度、载流子分布和电子-空穴的漂移速度,发... 详细信息

以InGaAs p-i-n管为例,研究了光电二极管在激光脉冲作用下非线性响应的内部机理特征,计算分析了二极管在强光辐照下内部空间电荷屏蔽效应对器件光电响应特性产生的影响.通过计算耗尽区的电场强度、载流子分布和电子-空穴的漂移速度,发现低偏置电压或强光辐照都会使耗尽区的电场强度下降,载流子的漂移和扩散速度降低到非饱和状态,使光生载流子的复合率下降,大量载流子聚集在耗尽区内,形成了空间电荷屏蔽效应,导致二极管呈非线性响应状态.在5V偏置电压条件下,增加皮秒激光的脉冲能量,光电二极管的光伏电压响应脉宽逐渐展宽,峰值电压呈非线性变化.

关键词：光电二极管非线性响应强光辐照空间电荷屏蔽耗尽区

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热及电场诱导石英光纤的电光系数

光学学报 2001年第3期21卷 296-299页

作者：刘雪明张明德孙小菡东南大学电子工程系南京210096

利用多载流子模型及单轴对称和光激励机理 ,从理论上计算了经热及电场诱导后的石英光纤的电光系数γ与D型光纤的距离d、诱导时间t和外加电压V的关系。结果表明 ,尽量缩短d并在适当时间内诱导 ,能有效提高电光系数 ;电光系数与外加电压... 详细信息

利用多载流子模型及单轴对称和光激励机理 ,从理论上计算了经热及电场诱导后的石英光纤的电光系数γ与D型光纤的距离d、诱导时间t和外加电压V的关系。结果表明 ,尽量缩短d并在适当时间内诱导 ,能有效提高电光系数 ;电光系数与外加电压近似平方根关系 ;γ33 与γ1 3 的比值非常接近 3。

关键词：石英光纤热及电场诱导耗尽区电光系数多载流子模型单轴对称光激励

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GT3254Y型大光敏面PIN光电二极管

半导体光电 1993年第2期 201-202页

1 工作原理该 PIN 光电二极管实际上是一个反向偏置的半导体二极管,当信号光照射到二极管的光敏区时,入射光在耗尽层和离耗尽区

关键词：光电二极管光敏面 GT3254Y PIN 耗尽区

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一种n^+/p^+环接MOS电容的研制

半导体技术 2015年第1期40卷 53-57页

作者：崔金洪郑玉宁潘光燃深圳方正微电子广东深圳518116

电容是集成电路的一个组成部分,由于MOS电容与CMOS工艺流程匹配,所以应用广泛。为了改善传统MOS电容值随电压特性的改变而变化的现象,并提高MOS电容值的稳定性,提出了一种新型MOS电容的制作方法和连接结构。新结构是将传统MOS电容的一... 详细信息

电容是集成电路的一个组成部分,由于MOS电容与CMOS工艺流程匹配,所以应用广泛。为了改善传统MOS电容值随电压特性的改变而变化的现象,并提高MOS电容值的稳定性,提出了一种新型MOS电容的制作方法和连接结构。新结构是将传统MOS电容的一个n+电极更改为p+电极,这样可以使器件的输入电势极性更改前后都为栅氧电容,但在极性更替间,由于有耗尽层存在,电容仍会变小。将两个新结构MOS电容环接,即将其中一个电容的多晶硅层与另一个电容的阱相连接,并用金属连线引出电极,测试结果表明,与传统MOS电容相比,新型MOS电容提升了零电压附近突变区域电容最低值,减小了器件电流波动幅度,有利于提高器件的可靠性。

关键词：电容金属-氧化物-半导体耗尽区突变区波动幅度

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短沟MOSFET阈值电压模型

短沟MOSFET阈值电压模型

作者：冯露国防科学技术大学

学位级别：硕士

集成电路持续朝着速度更快、面积更小、功耗更低的方向高速发展。从器件物理的角度来看,器件的尺寸越小,渡越时间越短,速度也越高;同时载流子途径的碰撞越稀少,功耗也就越低。所以,微电子工艺总体来说,就是通过不断缩小尺寸以达到提高... 详细信息

集成电路持续朝着速度更快、面积更小、功耗更低的方向高速发展。从器件物理的角度来看,器件的尺寸越小,渡越时间越短,速度也越高;同时载流子途径的碰撞越稀少,功耗也就越低。所以,微电子工艺总体来说,就是通过不断缩小尺寸以达到提高性能、降低功耗的目的。但是,器件尺寸缩小带来的次级效应会影响器件的性能,从而对电路的可靠性和可生产性提出新的挑战。如何得到既简洁又能精确描述器件特性的模型是我们开发新工艺,评估新工艺必须面对的一个重要课题。本文首先深入研究了MOSFET工作原理和衬底均匀掺杂的理想MOSFET阈值电压模型与特点,在此基础上,通过对中纬积体电路(宁波)有限公司典型的1um5V CMOS工艺的实验与数据分析,提出了一种新的短沟MOSFET阈值电压简化模型,并根据简化模型,提出了*** 5V CMOS阈值电压优化设计方案。论文主要工作和成果包括: 1.深入研究了MOSFET工作原理和衬底均匀掺杂的MOSFET的阈值电压模型,为得到衬底非均匀掺杂的增强型MOSFET模型,我们根据器件的特点,把理想的MOSFET的阈值电压模型进行了修正,提出短沟MOSFET阈值电压简化模型。 2.提取了典型的1.0um 5V CMOS工艺器件模型参数,并应用短沟MOSFET阈值电压简化模型来计算典型的1um 5V CMOS器件的阈值电压,结果表明,该简化模型具有很好的精度。 3.对短沟MOSFET阈值电压简化模型进行分析,研究影响短沟效应的各因素,并应用短沟MOSFET阈值电压简化模型,综合考虑各种因素,提出0.8um 5V CMOS工艺阈值电压优化设计的初步方案。

关键词：阈值电压功函数平带电压积累区耗尽区反型区体因子短沟效应

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高速硅光电二极管的参数最佳化

应用光学 1985年第6期 50-54+57页

作者： F.Duncan 邹声荣

在许多不同应用中所使用的高速硅光电二极管,要每个管子成功地运行,都有它自己的要求。宽带信息传输的光纤通讯是应用的一个领域,另外一些应用领域包括激光扫描传真系统,激光诊断和激光目标指示系统。这些光电二极管可用来探测450～110... 详细信息

在许多不同应用中所使用的高速硅光电二极管,要每个管子成功地运行,都有它自己的要求。宽带信息传输的光纤通讯是应用的一个领域,另外一些应用领域包括激光扫描传真系统,激光诊断和激光目标指示系统。这些光电二极管可用来探测450～1100毫微米的任何快速光脉冲。要有效地使用高速硅光电二极管,需要很好地掌握它的特性,以便使运转参数最佳化。让我们一个个地研究其中的一些参数并分析它们对光信号接收的影响。最后,把这些分析通过一些典型情况下的数字实例用于实践。

关键词：光电二极管载流子运算放大器耗尽区微微法上升时间毫微秒

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功率晶体管安全工作区自动分析仪

电测与仪表 1979年第6期 19-24页

作者：吕密

测试功率晶体管安全工作区的最普通的方法之一,是拿一只有代表意义的晶体管样品在可以控制的击穿条件下测试,测试装置保护晶体管免受损坏,测出安全工作区的几个点,绘出整个曲线。遗憾的是,这种方法有几个缺点:很慢;为了确定每一个点需... 详细信息

测试功率晶体管安全工作区的最普通的方法之一,是拿一只有代表意义的晶体管样品在可以控制的击穿条件下测试,测试装置保护晶体管免受损坏,测出安全工作区的几个点,绘出整个曲线。遗憾的是,这种方法有几个缺点:很慢;为了确定每一个点需要进行几次测量;且在每次测量之前管子都必须加以冷却。再则,由于管子热阻抗的分布不匀,结温T;不能控

关键词：功率晶体管巨型晶体管电力电子器件耗尽区参考信号分析仪

近红外全离子注入平面型锗雪崩光电探测器的研制

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光通信研究 1986年第3期 16-23页

作者：丁国庆阚希文武汉邮电科学研究院北京师范大学低能物理所

本文报告了采用全离子注入技术制作的p~+n平面型Ge-APD,保护环注Be~+,p+层注In~+(或B~+)形成。则量结果表明,击穿电压V_B大致在37-45伏范围,光敏面直径为φ90μm,在0.9V_B下,带尾纤的探测器暗电流可小至0.15μA,典型值为0.2-0.5μA,光倍... 详细信息

本文报告了采用全离子注入技术制作的p~+n平面型Ge-APD,保护环注Be~+,p+层注In~+(或B~+)形成。则量结果表明,击穿电压V_B大致在37-45伏范围,光敏面直径为φ90μm,在0.9V_B下,带尾纤的探测器暗电流可小至0.15μA,典型值为0.2-0.5μA,光倍增M_p在12-17,M_p=10时,过剩噪声因子F<10,光响应度大于0.5A/W。

关键词：击穿电压探测器 APD 耗尽区暗电流倍增因子过剩噪声因子量子效率激光效率平面型热退火尾纤结深