硅N-N~+-P结构光生伏特效应的研究
A Study of Photovoltaic Eftect of Silicon N-N~+-P Structure作者机构：厦门大学物理学系
出 版 物：《厦门大学学报(自然科学版)》 (Journal of Xiamen University(Natural Science))
年 卷 期：1984年第3期
页 面：339-348页
基 金：科学基金
主 题：光生 N-N 计算公式 待定参数 拟合 数学分析 少子扩散长度 一弓 表面光伏 多次反射 地震干扰 拟合计算 exp
摘 要：本文模拟TTL集成电路的N-N~+-P结构,推导了光生少子分布,光电流和开路电压的表达式。测量了光伏谱;用恒光强法,计算出P区少子扩散长度L_n;由二步拟合的方法计算得各区的重要参数,讨论了计算结果的可靠性。理论计算与实验符合较好。
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